[发明专利]一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法

权利要求书

1.一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：在基片表面生长减反射膜后，对该减反射膜进行预处理，保证减反射膜上形成羟基基团，接着将生长有减反射膜的基片浸入含有巯基的溶液中，羟基与含有巯基的溶液发生水解反应，进而在减反射膜表面通过分子自组装的方式形成含巯基的单子功能层，最后用去离子水冲洗，去除残留的溶剂，吹干。

2.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的预处理指紫外灯照射，其中，光照强度为100-200mw/cm²。

3.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的含有巯基的溶液指超干甲苯溶液或氯苯溶液与3-巯丙基三甲氧基硅烷形成的混合液。

4.根据权利要求3所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的3-巯丙基三甲氧基硅烷与超干甲苯溶液或氯苯溶液的体积比为0.5～3％。

5.根据权利要求1或3或4所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的基片浸入含有巯基的溶液中，浸泡时间为0.5～1h。

6.根据权利要求1所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的减反射膜利用提拉镀膜技术生长在基片表面，其具体工艺为：配制SiO₂溶胶，将基片清洗后，浸入到SiO₂溶胶中，浸泡30～60s后进行提拉，提拉镀膜的速度为120-190mm/min，最后进行烧结。

7.根据权利要求6所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：提拉镀膜之前，将碱性SiO₂溶胶采用聚硅氧烷改性技术进行改性，其中，掺杂聚硅氧烷和SiO₂溶胶的体积比为2％-16％。

8.根据权利要求6所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：烧结在480-520℃下烧结20-40min。

9.根据权利要求6所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：所述的SiO₂溶胶的制备方法为：磁力搅拌正硅酸乙酯无水乙醇溶液，然后将无水乙醇、去离子水和氨水的溶液逐滴加入到正硅酸乙酯无水乙醇溶液中，继续磁力搅拌至均匀后，密封在室温条件下陈化。

10.根据权利要求9所述的一种基于界面修饰的掺杂聚硅氧烷溶胶减反射膜的制备方法，其特征在于：正硅酸乙酯：无水乙醇：去离子水：氨水的摩尔比为1:(20-80):(1-10):0.1。