[发明专利]一种GaN基P型栅极增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610178604.4 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105655388A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王成新;逯瑶 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/43;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 栅极 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基P型栅极增强型HEMT器件，包括衬底层、沟道层、势垒层、栅极和漏极， 其特征是，沟道层设置在衬底层的上方，势垒层设置在沟道层的上方，栅极在势垒层上方， 漏极设置在势垒层上，栅极为P型金刚石。
2.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述衬底层厚度 为100μm-1000μm。
3.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述沟道层为 GaN层。
4.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述沟道层厚度 为0.1μm-5μm。
5.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述势垒层为 AlGaN层。
6.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述势垒层厚度 为0.2μm-8μm。
7.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述势垒层中掺 杂元素N，掺杂浓度为1×1015/cm-3-8×1020/cm-3。
8.根据权利要求1所述的GaN基P型栅极增强型HEMT器件，其特征是，所述栅极厚度为 0.3nm-800nm。
9.一种权利要求1所述GaN基P型栅极增强型HEMT器件的制备方法，其特征是，包括以 下步骤：
(1)在温度为50℃-1500℃以及压力为80-300mbar的条件下，在衬底层上进行GaN沉 积，形成沟道层；
(2)在沟道层上生长AlGaN层(势垒层)，生长温度为80-1200℃；
(3)在势垒层上生长一层p型金刚石，形成栅极，生长温度为20-1300℃。
(4)在势垒层上且位于栅极的两侧分别形成源极和漏极。
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