[发明专利]用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包括：

在不存在任何基板的情况下，执行第一腔室陈化处理，以在腔室组件的表面上沉积第一陈化层，所述腔室组件设置在处理腔室中；

执行沉积处理，以在所述处理腔室内在第一批基板上沉积第一材料层；

在所述第一批基板的最后一个基板沉积有所述第一材料层之后，在不存在任何基板的情况下，执行第二腔室陈化处理，以在所述腔室组件的所述表面上沉积导电陈化层，所述腔室组件设置在所述处理腔室中；以及

在所述第二腔室陈化处理之后，执行所述沉积处理，以在所述处理腔室内在第二批基板上沉积第二材料层。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第二批基板的最后一个基板沉积有所述第二材料层之后，在不存在任何基板的情况下，执行第三腔室陈化处理，以在所述腔室组件的所述表面上沉积第二陈化层，所述腔室组件设置在所述处理腔室中。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：

在所述第三腔室陈化处理之前，使用原位干法清洗工艺或远程等离子体清洗工艺执行腔室清洗处理。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一陈化层包括导电材料。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一陈化层包括氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述导电陈化层包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅或掺杂碳化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述导电陈化层具有大于的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一批基板和所述第二批基板的每一批包括1个基板至6个基板。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料层和所述第二材料层是含氮材料层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述含氮材料包括氮化硅。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板具有15,600cm²或更大的表面积。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室组件由未经阳极化处理的裸铝制成。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室组件由经阳极化处理的铝制成。

14.一种在处理腔室中处理基板的方法，包括：

在不存在任何基板的情况下，执行第一腔室陈化处理，以在所述处理腔室的处理区域中的腔室组件的表面上沉积第一陈化层；

在所述第一腔室陈化处理之后，在所述处理腔室内处理第一批基板，包括：

执行沉积处理，以在所述第一批基板的第1个基板至第N个基板上沉积第一材料层；以及

在所述第一批基板的所述第N个基板沉积有所述第一材料层之后，在不存在任何基板的情况下，执行第二腔室陈化处理，以在所述处理腔室的所述处理区域中的所述腔室组件的所述表面上沉积第一导电陈化层；以及

在所述第二腔室陈化处理之后，在所述第一批基板的第N+1个基板至第N+N个基板上沉积第二材料层；以及

在所述第一批基板的所述第N+N个基板沉积有所述第二材料层之后，在不存在任何基板的情况下，执行第三腔室陈化处理，以在所述处理腔室的所述处理区域中的所述腔室组件的所述表面上沉积第二陈化层。