[发明专利]量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置有效
申请号: | 201610179472.7 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105655495B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 徐超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;G02F1/13357 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光层 阳极 阴极 电子传输层 空穴传输层 量子点发光器件 有机小分子发光材料 量子点发光材料 液晶显示装置 空穴 基板 制备 电子传输 间隔设置 空穴传输 依次层叠 同侧 填充 发光 复合 | ||
1.一种量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件包括基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极,所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层及所述阴极设置在所述基板的同侧,所述阳极与所述阴极相对且间隔设置,所述空穴传输层、所述发光层及所述电子传输层夹设在所述阳极与所述阴极之间,且所述空穴传输层的一面与所述阳极相连,所述发光层及所述电子传输层依次层叠设置在所述空穴传输层远离所述阳极的一面,且所述电子传输层远离所述发光层的一面与所述阴极相连,所述阳极用于提供空穴,所述空穴传输层用于将所述空穴传输至所述发光层,所述阴极用于提供电子,所述电子传输层用于将所述电子传输至所述发光层,所述空穴和所述电子在所述发光层中复合以发光,其中,所述发光层包括量子点发光材料及有机小分子发光材料,所述有机小分子发光材料填充所述量子点发光材料之间的间隙,所述发光层包括层叠设置的第一子发光层及第二子发光层,所述第一子发光层的一面与在所述空穴传输层远离所述阳极的一面接触,所述第二子发光层的一面与所述电子传输层远离所述阴极的一面接触,所述第一子发光层包括量子点发光材料及有机小分子发光材料,所述第二子发光层包括有机小分子发光材料。
2.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述阳极远离所述空穴传输层的一面设置在所述基板上,所述阳极为透明电极,所述阴极为金属电极,所述空穴和所述电子在所述发光层中复合发出的光线自所述基板远离所述阳极的表面出射。
3.如权利要求2所述的量子点发光器件,其特征在于,所述阳极包括ITO,所述阴极包括Al。
4.如权利要求3所述的量子点发光器件,其特征在于,所述阴极的厚度为100~150nm。
5.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述阴极远离所述电子传输层的一面设置在所述基板上,所述阴极为透明电极,所述阳极为金属电极,所述空穴和所述电子在所述发光层中复合发出的光线自所述基板远离所述阴极的表面出射。
6.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述空穴传输层包括PEDOT:PSS或者P型金属氧化物纳米粒子,其中,所述P型金属氧化物纳米粒子包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一种或者多种。
7.如权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的厚度为40nm。
8.一种液晶显示装置,其特征在于,所述液晶显示装置包括如权利要求1~7任意一项所述的量子点发光器件。
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