[发明专利]一种OLED器件及显示装置在审

专利信息
申请号: 201610179872.8 申请日: 2016-03-25
公开(公告)号: CN105633293A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 王欣欣;许名宏;贾文斌;彭锐;叶志杰;胡月 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 器件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED器件,其特征在于,包括衬底基板以及依次层叠设置在所 述衬底基板的上方的阳极、有机功能层和阴极,所述阳极背离所述有机功能 层的侧面设置有热膨胀层,或/和,所述阴极背离所述有机功能层的侧面设置 有所述热膨胀层,所述热膨胀层为透明热膨胀层。

2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述热膨胀层位于 所述阳极与所述衬底基板之间,且所述热膨胀层与所述阳极接触。

3.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层发 出的光透过所述阴极射出所述OLED器件外,所述OLED器件还包括位于所 述阳极与所述衬底基板之间的反射层,所述热膨胀层位于所述反射层与所述 阳极之间。

4.根据权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件还 包括透明保护层,所述透明保护层位于所述阴极上。

5.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层发 出的光透过所述阳极射出所述OLED器件外,所述OLED器件还包括位于所 述阳极与所述衬底基板之间的半透半反层,所述热膨胀层位于所述半透半反 层与所述阳极之间。

6.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层发 出的光透过所述阴极射出所述OLED器件外,所述热膨胀层位于所述阴极背 离所述有机功能层的侧面,且所述热膨胀层与所述阴极接触。

7.根据权利要求6所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件还 包括反射层和过渡层,所述反射层位于所述阳极与所述衬底基板之间,所述 过渡层位于所述反射层与所述衬底基板之间,且所述过渡层分别与所述反射 层和所述衬底基板接触。

8.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述有机功能层发 出的光透过所述阴极射出所述OLED器件外,所述阳极背离所述有机功能层 的侧面和所述阴极背离所述有机功能层的侧面分别设置有所述热膨胀层,且 位于所述阳极背离所述有机功能层的侧面的所述热膨胀层与所述阳极接触, 位于所述阴极背离所述有机功能层的侧面的所述热膨胀层与所述阴极接触。

9.根据权利要求1-8任一所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED 器件还包括与外部电路连接的电热层,所述电热层位于所述热膨胀层背离所 述有机功能层的侧面,且所述电热层与所述热膨胀层接触,所述电热层为透 明电热层。

10.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述热膨胀层为 碱金属硅酸盐和多元醇形成的混合热膨胀材料热膨胀层;或

所述热膨胀层为氧化锆和钼形成的氧化锆-钼梯度材料热膨胀层;或

所述热膨胀层为负热膨胀材料热膨胀层。

11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置设置有如权利要求1-10 任一所述的OLED器件。

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