[发明专利]一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610180065.8 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105671486B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;刘金东 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法为利用氮离子束将氮元素掺杂注入二氧化钛薄膜表面，得到氮掺杂二氧化钛薄膜材料；
产生所述氮离子束的离子源阳极电压为500-3500 V；
所述氮离子束垂直于二氧化钛薄膜表面；
所述二氧化钛薄膜的晶体结构为非晶、多晶或非晶与多晶的混合。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述掺杂注入的温度为室温。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氮离子束与二氧化钛薄膜表面的距离为5-15 cm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述掺杂注入的时间为5-20 min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：产生所述氮离子束的离子源功率密度为0.5-4.0 W/cm2。
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