[发明专利]基片处理设备有效
| 申请号： | 201610180207.0 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789092B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郭秋韵;曲博文 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 设备 | ||
1.一种基片处理设备，包括：工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔；
所述工艺腔室在靠近气体流通的进气方向且气体流通性差的位置开设有进气孔，在靠近出气方向且气体流通性差的位置开设有排气孔；
所述工艺腔室为矩形，所述进气孔分别设置在靠近进气方向的两个拐角处，所述排气孔分别设置在靠近出气方向的两个拐角处。
2.根据权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于，还包括：位于所述工艺腔室外部的气体循环系统，其进气端与所述工艺腔室的排气孔相通，其出气端与所述工艺腔室的进气孔相通。
3.根据权利要求2所述的基片处理设备，其特征在于，所述气体循环系统，包括：
压强传感器，用于测量气体通道内的气体压强；
气体压强调节装置，用于调节气体通道内的气体压强；
控制单元，与所述压强传感器、所述气体压强调节装置相连接，用于控制所述气体压强调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体压强与所述进气孔处的气体压强一致。
4.根据权利要求3所述的基片处理设备，其特征在于，所述气体循环系统，还包括：
温度传感器，用于测量气体通道内的气体温度；
气体温度调节装置，用于调节气体通道内的气体温度；
所述控制单元，还与所述温度传感器、所述气体温度调节装置相连接，用于控制所述气体温度调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体温度与所述进气孔处的温度一致。
5.根据权利要求3或4所述的基片处理设备，其特征在于，所述工艺腔室为干法刻蚀设备的电极腔室，所述气体压强调节装置包括鼓风机和控制阀。
6.根据权利要求3或4所述的基片处理设备，其特征在于，如果气体参与所述工艺腔室内的反应时，所述气体循环系统还包括：
组分传感器，用于测量气体通道内的气体组分；
供气装置，用于提供所述工艺腔室工作时所需的气体；
所述控制单元，还与所述组分传感器、所述供气装置相连，用于控制所述供气装置，使所述气体循环系统出气端的气体组分与所述工艺腔室设定的工作气体的组分一致。
7.根据权利要求1-4任一项所述的基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备为成膜设备或干法刻蚀设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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