[发明专利]一种RIE制绒硅片表面修饰清洗方法有效
| 申请号： | 201610180460.6 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105655445B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄钧林;范维涛;周肃;黄青松;黄惜惜;张鑫;勾宪芳 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京先科专利代理事务所(普通合伙)32285 | 代理人： | 缪友菊 |
| 地址： | 212132 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rie 硅片 表面 修饰 清洗 方法 | ||
1.一种RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)准备RIE制绒硅片，并检测绒面反射率；
(2)根据上述检测的反射率结果配制初次修饰清洗药液，所述初次修饰清洗药液包括NH4F、HF、H2O2和H2O，所述NH4F、HF、H2O2和H2O的摩尔比为5:1:4～10:20～30；将硅片绒面浸入所述初次修饰清洗药液中进行初次清洗；
(3)将RIE制绒硅片取出，并采用去离子水清洗，去除硅片表面残留的药液；
(4)采用二次清洗液继续对制绒硅片清洗，所述二次清洗液包括HF、HCl和H2O，所述HF、HCl和H2O的摩尔比为1:1～3:6～9；
(5)采用去离子水冲洗RIE制绒硅片，并用吹干。
2.根据权利要求1所述的RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于：所述初次修饰清洗药液中NH4F、HF、H2O2和H2O的摩尔比为5:1:10:30或5:1:4:20。
3.根据权利要求2所述的RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于：步骤(2)中所述初次清洗温度为25～40℃，清洗时间为250～500s。
4.根据权利要求1所述的RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于：所述二次清洗液中HF、HCl和H2O的摩尔比为1:1:8。
5.根据权利要求4所述的RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于：步骤(4)中二次清洗温度为20～30℃，清洗时间为120～300s。
6.根据权利要求1所述的RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于：步骤(5)中采用N2或压缩空气将硅片吹干。
7.根据权利要求1所述的RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于：所述RIE制绒硅片为P型多晶硅片。
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