[发明专利]有机电致发光器件的封装结构及方法在审
申请号: | 201610180695.5 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105679964A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 杨建兵;吴远武;邹成;杨洪宝;洪乙又;樊卫华;王绪丰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 瞿网兰;徐冬涛 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 封装 结构 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件的封装结构,其特征在于,包括:衬底基板、OLED、薄膜封装层、有机树脂层和玻璃盖片,所述OLED形成于所述衬底基板上,所述薄膜封装层覆盖在所述OLED上,所述有机树脂层覆盖在所述薄膜封装层上,所述玻璃盖片形成于所述有机树脂层之上,所述薄膜封装层包括交叠堆叠的Al2O3薄膜层和SiNx薄膜层。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征在于,所述SiNx薄膜为SiN薄膜或Si3N4薄膜。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征在于,所述Al2O3薄膜和所述SiNx薄膜按照交叠周期数依次交叠形成于所述OLED之上,交叠顺序在此不作限制。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征在于,所述交叠周期数为大于等于3且小于等于10的整数。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征在于,所述Al2O3薄膜的厚度为10nm~50nm;所述SiNx薄膜在第一个交替周期内的厚度为500nm~1500nm,在其余交替周期内的厚度为300nm~1000nm;Al2O3薄膜采用原子层沉积的方法制备,所述SiNx薄膜采用等离子体增强化学气相沉积或溅射的方法制备,所述有机树脂层采用点胶、旋涂或喷墨打印的方法制备。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构,其特征在于,所述有机树脂层由异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、苝类树脂、酰亚胺类树脂或其两种或更多种的混合物形成。
7.一种有机电致发光器件的封装方法,其特征在于,它包括以下步骤:
首先,在衬底基板上形成OLED;
其次,在所述OLED上形成薄膜封装层,并使薄膜封装层的四周越过OLED与衬底基板相封接从而将OLED密封在薄膜封装层中;
第三,在所述薄膜封装层之上,通过点胶、旋涂或喷墨打印的方法形成一层有机树脂溶液,以便形成有机树脂层,形成的有机树指层的四周应越过薄膜封装层与衬底基板相封接,从而将薄膜封装层密封在有机树脂层中;
第四,在所述的有机树脂溶液表面贴合一层经过平整处理和应力处理的玻璃盖片;
最后,进行加热或UV固化,使玻璃盖片固化在有机树脂层上;
所述的薄膜封装层由交叠堆叠的Al2O3薄膜层和SiNx薄膜层组成,Al2O3薄膜采用原子层沉积的方法制备,所述SiNx薄膜采用等离子体增强化学气相沉积或溅射的方法制备。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征在于,所述原子层沉积工艺采用的前驱体为三甲基铝(TMA)和水蒸气(H2O)或臭氧(O3),沉积过程中注入氮气(N2)作为净化气体;所述三甲基铝的注入时间为0.02s~0.1s,所述水蒸气或臭氧的注入时间为0.02s~0.1s,所述氮气的注入时间为10s~30s;腔室压强为20Pa~80pa,沉积温度为60°C~80°C。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积工艺采用的气源为为硅烷(SiH4)和氨气(NH3),所述硅烷的流量为20sccm~50sccm,所述氨气的流量为130sccm~190sccm;工作压强为10Pa~80pa,功率为40W~60W。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的封装方法,其特征在于,所述溅射工艺采用的靶材是纯度为99.99%的硅靶材,沉积过程中的本底真空度为5×10-4Pa~10×10-4Pa,溅射气体分别是99.99%的氮气(N2)和氩气(Ar),溅射功率300W~800W,反应气压为0.2Pa~1Pa,氮气流量为20sccm~60sccm,氩气流量为40sccm~80sccm。
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