[发明专利]一种反相光刻对准标记和其制作方法有效
| 申请号： | 201610181734.3 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105789181B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 对准 标记 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种反相光刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述反相光刻对准标记应用于光波导多层膜质工艺中的精确对准，包括如下步骤：
1）在硅基体上沉积介质膜A；
2）对介质膜A光刻、刻蚀, 形成光刻对准标记；
3）HDP/TEOS沉积氧化物介质及CMP；
4）光刻、刻蚀对准标记区域的介质膜A ；
5）从步骤4）中刻蚀掉介质膜A的位置继续向硅基体刻蚀，形成反相光刻对准标记，其深度为0.5～1.5μm。
2.如权利要求1所述的反相光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在步骤1）中，介质膜A淀积厚度为1.5～5μm。
3.如权利要求1所述的反相光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在步骤3）中，HDP/TEOS沉积厚度根据步骤1）中所述介质膜A厚度进行调整，使沉积厚度大于介质膜A台阶高度。
4.如权利要求1所述的反相光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在步骤3）中，CMP工艺要求控制介质膜A损失量在0.1um以内。
5.如权利要求1所述的反相光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在步骤5）之后还包括步骤6）：光刻刻蚀对准区域中的氧化物介质。
6.如权利要求1所述的反相光刻对准标记的制备方法在制备光波导半导体器件中的应用。
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