[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包含：

基板，其具有第一盲孔及沟槽，所述第一盲孔连通所述沟槽，所述第一盲孔具有第一深度，所述沟槽具有小于所述第一深度的第二深度；以及

电容结构，其包含：

第一内导体，其位于所述第一盲孔中；

第一内绝缘体，其环绕所述第一内导体；以及

外导体，其具有第一部分环绕所述第一内绝缘体，及一延伸部分从所述第一部分延伸出来，所述第一部分位于所述第一盲孔中，所述延伸部分位于所述沟槽中，其中所述第一内导体是借由所述第一内绝缘体与所述外导体隔离。

2.如权利要求1所述的半导体结构，在俯视下，其特征在于，所述延伸部分的面积小于所述第一部分、所述第一内绝缘体及所述第一内导体的总面积。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述延伸部分的厚度小于所述第一部分、所述第一内绝缘体及所述第一内导体的总厚度。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包含：

第二盲孔，其连通所述沟槽并位于所述基板中；

所述外导体的第二部分，其位于所述第二盲孔中；

第二内绝缘体，其埋设于所述外导体的所述第二部分中；以及

第二内导体，其埋设于所述第二内绝缘体中。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一 步包含第一金属层，其接触所述外导体，以及第二金属层，其接触所述第一内导体及所述第二内导体。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包含外绝缘体，其位于所述基板及所述外导体之间。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述外绝缘体具有厚度，所述厚度小于所述沟槽的所述第二深度。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述外绝缘体及所述延伸部分的组合厚度等于所述沟槽的所述第二深度。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述延伸部分的厚度等于所述沟槽的所述第二深度。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述延伸部分的厚度不同于所述第一部分的厚度。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构与所述基板共平面。

12.一种制作半导体结构的方法，其特征在于，所述制作半导体结构的方法包含：

在基板中形成第一盲孔及沟槽，所述第一盲孔连通所述沟槽，所述第一盲孔具有第一深度，所述沟槽具有小于所述第一深度的第二深度；

形成外导体，其具有第一部分于所述第一盲孔中，及一延伸部分于所述沟槽中；

在所述第一部分上形成第一内绝缘体；以及

在所述第一内绝缘体上形成第一内导体，并借由所述第一内绝缘体与所述第一部分隔离。

13.如权利要求12所述的制作半导体结构的方法，其特征在于，所述制 作半导体结构的方法进一步包含：

形成第二盲孔，所述第二盲孔连通所述沟槽且位于所述基板中；

在所述第二盲孔中形成所述外导体的第二部分；

在所述第二部分上形成第二内绝缘体；以及

在所述第二内绝缘体上形成第二内导体，并借由所述第二内绝缘体与所述第二部分隔离。

14.如权利要求13所述的制作半导体结构的方法，其特征在于，所述第二盲孔具有第三深度，所述第三深度大于所述沟槽的所述第二深度。

15.如权利要求13所述的制作半导体结构的方法，其特征在于，所述第一盲孔的所述第一深度不同于所述第二盲孔的所述第三深度。

16.如权利要求12所述的制作半导体结构的方法，在形成所述外导体前，其特征在于，所述制作半导体结构的方法进一步包含在所述第一盲孔及所述沟槽中形成外绝缘体。

17.如权利要求16所述的制作半导体结构的方法，其特征在于，所述外绝缘体的厚度小于所述沟槽的所述第二深度。

18.如权利要求12所述的制作半导体结构的方法，其特征在于，所述外导体填满所述沟槽。