[发明专利]太阳能电池组件生产工艺在审
申请号: | 201610182298.1 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105633219A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 陈怀之;王刚;聂海涛;张仁友;胡国波 | 申请(专利权)人: | 成都振中电气有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 生产工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池片生产领域,具体地,涉及太阳能电池组件生产工艺。
背景技术
石油、天然气、煤炭等不可再生能源随着人类的使用变得越来越少。同时全球能源需求快速增长,寻找新能源改善现有能源结构变得非常紧迫。太阳能是解决全球能源问题最有前途的替代能源。专家预测,到2050年,太阳能将占人类使用能源的35%以上,成为第一大能源。太阳能是最具开发和应用前景的可再生能源之一,光伏发电是利用太阳能的最佳途径之一。
目前工业化晶体硅太阳电池在制造过程中通常采用丝网印刷、高温烧结、互联、层压封装等生产工艺,工艺复杂,生产效率较低。
综上所述,本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:
在现有技术中,现有的太阳能电池组件生产工艺存在工艺复杂,生产效率较低的技术问题。
发明内容
本发明提供了太阳能电池组件生产工艺,解决了现有的太阳能电池组件生产工艺存在工艺复杂,生产效率较低的技术问题,实现了工艺简单,生产效率较高的技术效果。
为解决上述技术问题,本申请实施例提供了太阳能电池组件生产工艺,所述工艺包括:
步骤1:对原料电池片进行检测;
步骤2:对检测合格的电池片进行正面焊接处理;
步骤3:对正面焊接后的电池片进行背面串接处理;
步骤4:对背面串接处理后的电池片进行层压敷设处理;
步骤5:对层压敷设处理后的电池片焊接接线盒;
步骤6:对电池片进行测试处理。
其中,所述工艺还包括对电池片进行修边处理,修边处理在步骤4之后步骤5之前进行。
其中,所述测试处理包括电压测试和组件测试。
其中,所述组件测试具体为对电池的输出功率进行测试。
其中,所述电压测试具体为在组件边框和电极引线间施加一定电压,测试组件的耐压性和绝缘强度。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
由于采用了将太阳能电池组件生产工艺设计为包括:步骤1:对原料电池片进行检测;步骤2:对检测合格的电池片进行正面焊接处理;步骤3:对正面焊接后的电池片进行背面串接处理;步骤4:对背面串接处理后的电池片进行层压敷设处理;步骤5:对层压敷设处理后的电池片焊接接线盒;步骤6:对电池片进行测试处理的技术方案,所以,有效解决了现有的太阳能电池组件生产工艺存在工艺复杂,生产效率较低的技术问题,进而实现了工艺简单,生产效率较高的技术效果。
附图说明
图1是本申请实施例一中太阳能电池组件生产工艺的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供了太阳能电池组件生产工艺,解决了现有的太阳能电池组件生产工艺存在工艺复杂,生产效率较低的技术问题,实现了工艺简单,生产效率较高的技术效果。
本申请实施中的技术方案为解决上述技术问题。总体思路如下:
采用了将太阳能电池组件生产工艺设计为包括:步骤1:对原料电池片进行检测;步骤2:对检测合格的电池片进行正面焊接处理;步骤3:对正面焊接后的电池片进行背面串接处理;步骤4:对背面串接处理后的电池片进行层压敷设处理;步骤5:对层压敷设处理后的电池片焊接接线盒;步骤6:对电池片进行测试处理的技术方案,所以,有效解决了现有的太阳能电池组件生产工艺存在工艺复杂,生产效率较低的技术问题,进而实现了工艺简单,生产效率较高的技术效果。
为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
实施例一:
在实施例一中,提供了太阳能电池组件生产工艺,请参考图1,所述工艺包括:
步骤1:对原料电池片进行检测;
步骤2:对检测合格的电池片进行正面焊接处理;
步骤3:对正面焊接后的电池片进行背面串接处理;
步骤4:对背面串接处理后的电池片进行层压敷设处理;
步骤5:对层压敷设处理后的电池片焊接接线盒;
步骤6:对电池片进行测试处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都振中电气有限公司,未经成都振中电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610182298.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高速调制发光二极管及其制造方法
- 下一篇:光检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的