[发明专利]使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠，以及其形成工艺

说明书

本申请公开了使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠以及其形成工艺。一种装置包括具有硅通孔(TSV)嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。

本申请是国际申请日为2011年9月24日、中国国家阶段申请号为201180045863.5、题为“使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠，以及其形成工艺”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

所公开的实施例涉及半导体微电子器件及其封装工艺。

附图说明

为了理解获得实施例的方式，将通过参照附图提供对以上简述的多个实施例的更具体描述。这些附图描绘了不一定按比例绘制的实施例，且不应被认为是对范围的限制。将通过使用附图更为具体且详细地描述并说明一些实施例，在附图中：

图1是根据示例实施例的完全嵌入式管芯无核衬底装置的横截面图；

图1a是根据示例实施例的在处理期间的完全嵌入式管芯无核衬底装置的横截面图；

图1b是根据实施例的在进一步处理期间的图1a所示嵌入式管芯无核衬底装置的横截面图；

图1c是根据实施例的在进一步处理之后的图1b所示装置的横截面图；

图1d是根据实施例的在进一步处理之后的图1c所示装置的横截面图；

图1e是根据实施例的在进一步处理之后的图1d所示装置的横截面图；

图1f是根据实施例的在进一步处理之后的图1e所示装置的横截面图；

图1g是根据实施例的在进一步处理之后的图1f所示装置的横截面图；

图1h是在进一步处理之后的图1g所示装置的横截面图；

图2是根据示例实施例的完全嵌入式管芯无核衬底装置的横截面图；

图3是根据示例实施例的完全嵌入式硅通孔管芯层叠封装无核衬底装置的横截面图；

图3a是根据示例实施例的在处理期间的图1所示完全嵌入式管芯POP无核衬底装置的横截面图；

图4是根据示例实施例的完全嵌入式管芯无核衬底层叠封装装置的横截面图；

图4a是根据示例实施例的在进一步处理之后的图4所示完全嵌入式管芯无核衬底POP装置的横截面图；

图4b是根据示例实施例的在进一步处理之后的图4所示完全嵌入式管芯无核衬底POP装置的横截面图；

图5是根据示例实施例的部分嵌入式硅通孔管芯层叠封装无核衬底装置的横截面图；

图5a是根据示例实施例的在处理期间的部分嵌入式管芯无核衬底装置的横截面图；

图5b是根据实施例的在进一步处理期间的图5a所示嵌入式管芯无核衬底装置的横截面图；

图5c是根据实施例的在进一步处理之后的图5b所示装置的横截面图；

图5d包括添加TSV管芯以形成该装置；

图5e是根据实施例的在进一步处理之后的图5d所示装置的横截面图；

图5f是根据实施例的在进一步处理之后的图5e所示装置的横截面图；

图5g是根据实施例的在进一步处理之后的图5g所示装置的横截面图；

图5h是根据实施例的在进一步处理之后的图5g所示装置的横截面图；

图6是根据示例实施例的部分嵌入式硅通孔管芯无核衬底装置的横截面图；