[发明专利]晶体硅太阳能电池的金属化方法和电池及其组件、系统

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其特征在于：包括以下步骤：印 刷制备晶体硅太阳能电池基体背表面的电极，在晶体硅太阳能电池基体的正表 面使用银浆或掺铝银浆印刷主栅和分段副栅；在分段副栅上铺设导电线，之后 将铺设好导电线的晶体硅太阳能电池基体进行烧结处理，烧结后分段副栅与正 表面发射极形成欧姆接触，导电线与分段副栅和主栅形成欧姆接触，完成晶体 硅太阳能电池的制作。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其特征在 于：所述导电线为铜线、铝线或者银包铜线；烧结的峰值温度为850～950℃。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其特征在 于：所述分段副栅的形状是非连续的圆点，所述非连续的圆点的直径为30-300 微米，所述导电线的直径为40-80微米。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其特征在 于：所述分段副栅的形状是非连续的线条，所述非连续的线条的长度为40-300 微米，所述非连续线条的宽度为40-300微米，所述导电线的直径为40-80微米； 非连续的线条垂直于主栅、平行主栅或者与主栅具有角度。

5.根据权利要求1～4任一所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其 特征在于：所述晶体硅太阳能电池基体是P型晶体硅太阳能电池基体，所述P 型晶体硅太阳能电池基体的背表面的金属化方法为使用银浆印刷背面主栅并烘 干，然后使用铝浆印刷背面铝电极并烘干。

6.根据权利要求5所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其特征在 于：对晶体硅太阳能电池进行金属化方法之前还包括以下步骤：

S1P、选择P型晶体硅太阳能电池基体，并对P型晶体硅太阳能电池基体 的表面作制绒处理；P型晶体硅太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；

S2P、将步骤S1P处理后的P型晶体硅太阳能电池基体放入工业用扩散炉 中进行磷扩散，磷源采用三氯氧磷，扩散温度为800-900℃，时间为60-120分 钟；磷扩散后的方阻值为50-150Ω/sqr；

S3P、将磷扩散后的P型晶体硅太阳能电池基体放入刻蚀清洗机中，去除 背面的磷扩散层和正面的磷硅玻璃层；

S4P、将步骤S3P处理后的P型晶体硅太阳能电池基体放入PECVD设备中， 在正表面镀上氮化硅层。

7.根据权利要求1～4任一所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其 特征在于：所述晶体硅太阳能电池基体是N型晶体硅太阳能电池基体，所述N 型晶体硅太阳能电池基体背表面的金属化方法为在背表面使用银浆印刷电极并 进行烘干。

8.根据权利要求7所述的一种晶体硅太阳能电池的金属化方法，其特征在 于：对晶体硅太阳能电池进行金属化方法之前还包括以下步骤：

S1N、选择N型晶体硅太阳能电池基体，并对N型晶体硅太阳能电池基体 的正表面作制绒处理；N型晶体硅太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；

S2N、将步骤S1N处理后的N型晶体硅太阳能电池基体放入工业用扩散炉 中对制绒面进行硼扩散，硼源采用三溴化硼，扩散温度为920-1000℃，时间为 60-180分钟；硼扩散后的方阻值为40-100Ω/sqr；

S3N、将硼扩散后的硅基体放入刻蚀清洗机中，去除背面的硼扩散层和正 面的硼硅玻璃层；

S4N、使用离子注入机在步骤S3N处理后的N型晶体硅太阳能电池基体背 面注入磷原子并进行退火处理；退火的峰值温度为700～950℃，退火时间为 30～200min，环境气源为N₂和O₂；

S5N、将步骤S4N处理后的N型晶体硅太阳能电池基体放入清洗机中，去 除正面和背面的氧化层；

S6N、将步骤S5N处理后的N型晶体硅太阳能电池基体放入PECVD设备 中，在正面和背面均镀上氮化硅层。