[发明专利]N型双面太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统

权利要求书

1.一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、在N型晶体硅基体的正表面和背表面制备p+掺杂区域和n+掺杂区域，并在正表面制备钝化减反膜，在背表面制备钝化膜；

(2)、在N型晶体硅基体的正表面和背表面印刷金属浆料并烘干形成正面金属主栅电极和背面金属主栅电极，所述正面金属主栅电极与所述p+掺杂区域不形成欧姆接触，所述背面金属主栅电极与所述n+掺杂区域不形成欧姆接触；

(3)、将沾附有掺铝银浆的金属丝粘贴在N型晶体硅基体的正表面，将沾附有银浆的金属丝粘贴在N型晶体硅基体的背表面，经烘干、烧结后，金属丝分别与p+掺杂区域和n+掺杂区域形成欧姆接触，同时金属丝和主栅电极也形成欧姆接触，完成太阳能电池的金属化制作。

2.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：所述钝化减反膜是SiO2介质膜、SiNx介质膜或Al2O3介质膜中一种或多种，所述钝化膜是SiO2介质膜和SiNx介质膜组成的复合介质膜。

3.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：所述N型晶体硅基体的厚度为50～300μm；p+掺杂区域的掺杂深度为0.5～2.0μm；钝化减反膜的厚度为70～110nm；钝化膜的厚度为不低于20nm；n+掺杂区域的掺杂深度为0.5～2.0μm。

4.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：正面金属主栅电极和背面金属主栅电极的数量均大于2根，正面金属主栅电极的设置位置和背面金属主栅电极的设置位置相互对应，并均匀分布在N型晶体硅基体的表面，正面金属主栅电极和背面金属主栅电极的宽度均为0.5-3mm。

5.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：掺铝银浆或者银浆非连续地沾附在金属丝上或者连续地沾附在金属丝上。

6.根据权利要求1～5任一所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：所述金属丝的截面形状为圆形、方形或者三角形，圆形金属丝的直径为40-80um。

7.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：步骤(3)中粘贴金属丝的方法是将多条沾附有掺铝银浆的金属丝按照垂直于正面金属主栅电极的方向等间距平行粘贴在N型晶体硅基体的正表面并烘干，正表面金属丝之间的间距为1-3mm；再将沾附有银浆的金属丝按照垂直于背面金属主栅电极的方向等间距平行粘贴在硅片的背表面并烘干，背表面金属丝之间的间距为1-3mm。

8.根据权利要求1所述的一种N型双面太阳能电池的金属化方法，其特征在于：步骤(3)中烧结的温度不高于900摄氏度。

9.一种N型双面太阳能电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和钝化减反膜；N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和钝化膜，其特征在于：N型晶体硅基体的正表面包括正面金属主栅电极和正面金属丝，所述正面金属丝与所述p+掺杂区域通过银铝合金连接；N型晶体硅基体的背表面包括背面金属主栅电极和背面金属丝，所述背面金属丝与所述n+掺杂区域通过银连接。

10.根据权利要求9所述的一种N型双面太阳能电池，其特征在于：所述钝化减反膜是SiO2介质膜、SiNx介质膜或Al2O3介质膜中一种或多种，所述钝化膜是SiO2介质膜和SiNx介质膜组成的复合介质膜；N型晶体硅基体的厚度为50～300μm；p+掺杂区域的掺杂深度为0.5～2.0μm；钝化减反膜的厚度为70～110nm；钝化膜的厚度为不低于20nm；n+掺杂区域的掺杂深度为0.5～2.0μm。

11.根据权利要求9所述的一种N型双面太阳能电池，其特征在于：正面金属主栅电极和背面金属主栅电极的数量均大于2根，正面金属主栅电极的设置位置和背面金属主栅电极的设置位置相互对应，并均匀分布在N型晶体硅基体的表面，正面金属主栅电极和背面金属主栅电极的宽度均为0.5-3mm。

12.一种N型双面太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的前层材料、封装材料、N型双面太阳能电池、封装材料、背层材料，其特征在于：所述N型双面太阳能电池是权利要求9-11任一所述的一种N型双面太阳能电池。

13.一种N型双面太阳能电池系统，包括一个或多于一个串联的N型双面太阳能电池组件，其特征在于：所述N型双面太阳能电池组件是权利要求12所述的一种N型双面太阳能电池组件。