[发明专利]双向调制的铌酸锂相位调制器有效
| 申请号： | 201610185251.0 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105607299B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 舒平;华勇;张洪波;郑德晟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双向 调制 高速 铌酸锂 相位 调制器 | ||
1.一种双向调制的铌酸锂相位调制器，包括铌酸锂基底、条形波导和行波电极，所述条形波导和行波电极均形成于铌酸锂基底上，其特征在于：所述铌酸锂基底上设置有两个行波电极，两个行波电极之间留有间隔，两个行波电极沿条形波导轴向顺次排列，条形波导的一端记为A端，条形波导的另一端记为B端，其中一个行波电极能对条形波导上由A端传向B端的光信号进行单向调制，另一个行波电极能对条形波导上由B端传向A端的光信号进行单向调制。
2.根据权利要求1所述的双向调制的铌酸锂相位调制器，其特征在于：所述两个行波电极的端口位于铌酸锂基底的同侧。
3.根据权利要求2所述的双向调制的铌酸锂相位调制器，其特征在于：单个行波电极所对应的端口有射频输入端和匹配电阻连接端。
4.根据权利要求3所述的双向调制的铌酸锂相位调制器，其特征在于：两个行波电极分别形成两个调制区，第一调制区位于第二调制区的左侧，第一调制区所对应的射频输入端位于第一调制区的右侧，第一调制区所对应的匹配电阻连接端位于第一调制区的左侧，第二调制区所对应的射频输入端位于第二调制区的左侧，第二调制区所对应的匹配电阻连接端位于第二调制区的右侧；两个射频输入端均与一功率分配模块电气连接。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的双向调制的铌酸锂相位调制器，其特征在于：所述铌酸锂基底为X切铌酸锂基底或Z切铌酸锂基底。
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