[发明专利]一种大功率芯片散热装置制作方法

权利要求书

1.一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于包括：

步骤1：采用激光或者水刀在金刚石铜顶板及金刚石铜底板上，加工微流道；其中金刚石铜顶板的边缘与中间部分最大高度差w，金刚石铜底板与中间部分最大高度差w；

步骤2：在金刚石铜底板、金刚石铜顶板中间部分内壁上设置液体相变层；金刚石铜顶板边缘设置通气孔；

步骤3：焊接金刚石铜底板边缘与金刚石铜顶板边缘部分，形成具有蒸汽腔的焊接工件；

步骤4：采用检漏仪检测步骤3中焊接处是否满足气密要求；若满足焊接要求，执行步骤5；否则，重新焊接；

步骤5：通过通气孔将焊接工件抽真空，然后通过通气孔在微流道中注入工作介质，然后将通气孔密封；

步骤6：将大功率芯片焊接在金刚石铜顶板外壁顶端，并采用X射线检测焊接空洞，完成制作。

2.根据权利要求1所述的一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于所述步骤1中w范围为1-2mm。

3.根据权利要求1所述的一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于所述步骤1中微流道加工精度为±0.05mm，表面粗糙度为小于等于0.8微米；微流道宽度方向h范围是0.5-1mm。

4.根据权利要求1所述的一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于所述步骤2中液体相变层材料是金属粉末烧结吸液芯、槽道式吸液芯或丝网屏吸液芯。

5.根据权利要求1所述的一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于所述步骤2中液体相变层厚度为30～300μm。

6.根据权利要求1所述的一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于所述步骤3中焊接金刚石铜底板边缘与金刚石铜顶板边缘部分的焊接材料是银铜、金硅、金锑、金锗、金锡、锡银铜、锡铅或铟锡。

7.根据权利要求1所述的一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于所述步骤5的工作介质指的是蒸馏水、乙醇或丙酮。