[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件包括：

绝缘基底；设置在所述绝缘基底上的电流扩散层，所述电流扩散层包括：第一电极连接部，第二电极连接部，位于所述第一电极连接部与所述第二电极连接部之间的N个接触部，以及连接于所述第一电极连接部与所述接触部之间、所述N个接触部之间以及所述第二电极连接部与所述接触部之间的平展部，所述平展部的个数为N+1个，N为自然数；

对应设置在所述N+1个平展部上的N+1个发光结构层，每个所述发光结构层包括：依次层叠在对应的所述平展部上的第一半导体层、活性层以及第二半导体层，所述第二半导体层远离所述活性层的一面形成有与所述N个接触部配合的至少N个沟槽，所述至少N个沟槽的深度小于所述第二半导体层的厚度，所述至少N个接触部与至少N个所述沟槽相对应；

以及绝缘层；

其中，所述第一电极连接部和与其相邻的所述发光结构层的侧面之间设置有所述绝缘层，所述第一电极连接部通过与其相邻的平展部与设置在该平展部上的发光结构层的第一半导体层连接，所述第二电极连接部和与其相邻的所述发光结构层的活性层的侧面、第一半导体层的侧面以及与平展部的侧面之间设置有所述绝缘层，所述第二电极连接部的远离所述绝缘基板的端面的一部分和与其相邻的发光结构层的第二半导体层连接，每个所述接触部与位于所述接触部靠近所述第一电极连接部一侧的发光结构层的活性层的侧面、第一半导体层的侧面以及所述平展部的侧面之间设置有所述绝缘层，与位于所述接触部靠近所述第二电极连接部一侧的发光结构层的侧面之间设置有所述绝缘层，每个所述接触部远离所述绝缘基板的端面与位于该接触部靠近所述第一电极连接部一侧的发光结构层的第二半导体层连接，通过位于该接触部靠近所述第二电极连接部一侧的平展部与该平展部上的第一半导体层连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘基底包括第一衬底以及依次层叠在所述第一衬底上的第一键合金属层、第二键合金属层以及绝缘基底层，所述绝缘基底层设置在所述第二键合金属层与所述电流扩散层之间。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括形成于所述第一电极连接部上的第一电极，以及形成于所述第二电极连接部上的第二电极。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一半导体层与所述电流扩散层之间形成有反射金属层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述至少N个接触部远离所述绝缘基底的端面与所述第二半导体层电连接的部分形成有导电金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面具有图形或者为粗糙表面。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面以及所述沟槽的底部形成有钝化层。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述电流扩散层还包括至少一个第一隧道电极以及第二隧道电极，所述第一隧道电极位于所述第一电极连接部与所述接触部之间或者相邻的两个接触部之间，所述第二隧道电极位于所述接触部与所述第二电极连接部之间，所述第一隧道电极与所述第二隧道电极的两侧均设置有所述绝缘层，所述第一隧道电极以及第二隧道电极靠近所述绝缘基底的端面与所述绝缘基底连接，所述第一隧道电极以及第二隧道电极远离所述绝缘基底的端面与对应的发光结构层的第二半导体层电连接。