[发明专利]基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种基于图形化Si衬底的LED外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S1、在Si衬底上刻蚀图形化结构，制作图形化Si衬底；

S2、在所述图形化Si衬底上生长Al₂O₃涂层；

S3、在所述Al₂O₃涂层上生长外延层；

S4、将图形化Si衬底作为牺牲层，对上述结构进行衬底剥离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述外延层包括：

GaN或AlGaN成核层，生长于所述Al₂O₃涂层上。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述外延层还包括第一缓冲层及发光结构层，依次生长于所述GaN或AlGaN成核层上，且所述制备方法还包括：

利用所述Al₂O₃涂层作为阻挡层，用湿法刻蚀的方法对所述图形化Si衬底的图形部分进行刻蚀，从而使衬底剥离，露出图形化的所述Al₂O₃涂层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述外延层还包括：

应力缓冲层，位于所述第一缓冲层及所述发光结构层之间。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：

在所述图形化Si衬底上先镀上一层Al层，再通入氧等离子体形成所述Al₂O₃涂层。