[发明专利]一种用于微波芯片共晶加压的装置及加压方法

权利要求书

1.一种用于微波芯片共晶加压的装置，其特征在于具体包括 基板限位器、芯片限位器和点接触压块，所述基板限位器内部设 置基板限位槽和芯片限位器限位槽，基板限位槽的边缘与微波芯 片的基板边缘相接触，芯片限位器限位槽的边缘与芯片限位器的 边缘相接触，芯片限位器上设置芯片限位孔，所述芯片限位孔的 尺寸与芯片的尺寸相匹配，用作芯片的限位；所述芯片的下表面 通过焊片与基板的上表面相接触；所述点接触压块的底板上设置 微支撑柱，微支撑柱的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量， 微支撑柱的位置与芯片上表面的焊盘位置镜像对称，点接触压块 上的微支撑柱与芯片上表面的焊盘相接触。

2.如权利要求1所述的用于微波芯片共晶加压的装置，其特征 在于所述微支撑柱的数量最少为3个，微支撑柱与底板一次加工成 形。

3.如权利要求1所述的用于微波芯片共晶加压的装置，其特征 在于所述装置还包括配重压块，所述配重压块放置在点接触压块 的上表面。

4.如权利要求1所述的用于微波芯片共晶加压的装置，其特征 在于所述芯片限位器上还设置防错凹槽，点接触压块上设置与防 错凹槽相对应的防错凸起，所述防错凸起插入防错凹槽中时，所 有的微支撑柱只与芯片上表面的焊盘相接触。

5.如权利要求4所述的用于微波芯片共晶加压的装置，其特征 在于所述防错凹槽与芯片限位孔相连接，防错凹槽为矩形或半圆 形。

6.如权利要求1所述的用于微波芯片共晶加压的装置，其特征 在于所述微支撑柱是直径80μm，高度30μm的凸点，凸点通过超 声热压焊工艺焊接在底板上。

7.一种微波芯片共晶加压方法，其具体包括以下的步骤：步 骤一、将基板正向放置在基板限位器的基板限位槽中，然后将芯 片限位器放置在基板限位器的芯片限位器限位槽中；步骤二、将 焊片、芯片依次放置在芯片限位器中的芯片限位孔中，芯片的下 表面通过焊片与基板的上表面相接触；步骤三、将点接触压块倒 扣在芯片上；所述点接触压块的底板上设置微支撑柱，微支撑柱 的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量，微支撑柱的位置与 芯片上表面的焊盘位置镜像对称，点接触压块上的微支撑柱与芯 片上表面的焊盘相接触。