[发明专利]RFLDMOS制备方法及结构有效
| 申请号： | 201610190736.9 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105789054B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 遇寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rfldmos 制备 方法 结构 | ||
【权利要求书】：
1.RFLDMOS制备方法，其特征在于，通过三次相同类型离子注入形成漂移区，第一次离子注入覆盖整个漂移区，第二次离子注入从法拉第边缘到漏引出端，第三次离子注入从距离漏引出端0.1μm～0.3μm开始直到漏引出端，且漏引出端与第三次离子注入为相同杂质类型掺杂。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一次离子注入的剂量高于第二次离子注入的剂量，第一次离子注入的能量低于第二次离子注入的能量，第三次离子注入的剂量和第二次离子注入的剂量接近，第三次离子注入的能量低于第二次离子注入的能量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，三次离子注入的能量范围为100keV～250keV。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第三次离子注入的剂量为5E11～1E12，能量为80Kev～100Kev。
5.RFLDMOS的结构，其特征在于：该RFLDMOS结构包括第一离子掺杂区、第二离子掺杂区及第三离子掺杂区，其中第一离子掺杂区覆盖整个漂移区，第二离子掺杂区从法拉第边缘到漏引出端，第三离子掺杂区自漏引出端至距离该漏引出端0.1μm～0.3μm的区域，且第一离子掺杂区、第二离子掺杂区及第三离子掺杂区为相同杂质类型掺杂，漏引出端与第三离子掺杂区为相同杂质类型掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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