[发明专利]一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：包括依次设置在n型GaAs基片一侧的n型GaAs缓冲层、n型Bragg反射镜层、n型载流子限制层、多量子阱有源区层、p型载流子限制层、GaP电阻层和GaP窗口层，在GaP窗口层下方设置GaP电阻层。

2.根据权利要求1所述砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：所述n型GaAs基片为室温下载流子浓度低于4×10¹⁷ cm^-3的低载流子浓度n型GaAs基片。

3.根据权利要求1或2所述砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：所述GaP电阻层材料中同时使用镁元素作为p型掺杂剂、硅元素作为n型掺杂剂，GaP电阻层材料的块体电阻率>9×10^-3Ω⋅m。

4.如根据权利要求1所述的砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片的制作方法，包含以下步骤：

1）将n型GaAs基片置于MOCVD系统中的反应腔体中，加热至600℃～700℃，去除基片表面的钝化层，并于n型GaAs基片的一侧沉积形成n型GaAs缓冲层；

2）在GaAs 缓冲层之上沉积形成n型Bragg反射镜层；

3）在n型Bragg反射镜层上沉积形成 n型载流子限制层；

4）在n型载流子限制层上沉积形成多量子阱有源区层；

5）在多量子阱有源区层上沉积形成 p型载流子限制层；

6）在 p型载流子限制层上沉积形成GaP电阻层；

7） 在GaP电阻层之上沉积形成GaP窗口层；

8）在GaP窗口层上设置第一电极，在n型GaAs基片的另一侧设置第二电极。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于所述n型GaAs基片为室温下载流子浓度低于4×10¹⁷ cm^-3的低载流子浓度n型GaAs基片。

6.根据权利要求4或5所述的制作方法，其特征在于在步骤6）中，同时使用镁元素和硅元素作为掺杂剂。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于在步骤6）中，GaP电阻层材料的块体电阻率>9×10^-3Ω⋅m。