[发明专利]改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置及其改善方法

权利要求书

1.改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置，其特征在于：包括PIN开关单元(10)和功率放大器单元(20)，所述PIN开关单元(10)的信号输入端、控制端分别连接射频输入信号、TTL控制信号，所述PIN开关单元(10)的信号输出端连接功率放大器单元(20)的信号输入端，所述功率放大器单元(20)的信号输出端输出射频输出信号；

所述PIN开关单元(10)包括PIN二极管(V2)，所述PIN二极管(V2)的正极端连接第十四电容(C14)、第一电感(L1)的一端，所述第十四电容(C14)的另一端连接射频输入信号，第一电感(L1)的另一端连接第十五电容(C15)、第十六电容(C16)的一端、以及TTL控制信号，所述第十五电容(C15)、第十六电容(C16)的另一端均接地，所述PIN二极管(V2)的负极端连接第二电感(L2)的一端、功率放大器单元(20)的信号输入端，所述第二电感(L2)的另一端接地；

所述功率放大器单元(20)包括功率晶体管(V1)，所述功率晶体管(V1)的栅极连接第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第四电容(C4)、第五电容(C5)的一端，所述第一电容(C1)的另一端连接PIN二极管(V2)的负极端以及第二电感(L2)的一端，所述第一电阻(R1)的另一端、以及第二电容(C2)、第三电容(C3)的一端均连接所述功率晶体管(V1)的栅极输入电压，所述第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)的另一端均接地，所述功率晶体管(V1)的漏极连接第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第十一电容(C11)、第十二电容(C12)、第十三电容(C13)的一端、以及漏极供电电源，所述第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第十一电容(C11)、第十二电容(C12)、第十三电容(C13)的另一端均接地，所述第六电容(C6)的另一端输出射频输出信号；

所述PIN二极管(V2)的型号为美国M/A-COM公司生产的MADP-042405-13060；

所述功率晶体管(V1)为500W的LDMOS RF功率晶体管。

2.一种如权利要求1所述的改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置的改善方法，其特征在于所述改善方法具体步骤包括：

S1、所述PIN开关单元(10)的信号输入端接收射频输入信号，PIN开关单元(10)的控制端输入TTL控制信号，所述射频输入信号的前沿的输入时间提前于所述TTL控制信号的前沿的输入时间，且射频输入信号的后沿的输入时间滞后于TTL控制信号的后沿的输入时间；

S2、当所述TTL控制信号为低电平时，PIN开关单元(10)内部的PIN二极管(V2)处于截止状态，所述射频输入信号停止通过PIN开关单元(10)；

S3、所述TTL控制信号的前沿到来时，PIN二极管(V2)的导通能力逐渐增加，通过PIN开关单元(10)的射频输入信号的电流逐渐增加，直至射频输入信号的电流达到最大值，所述射频输入信号从电流最大值的10％至电流最大值的90％所需要的时间即为改善后的射频输入信号的上升沿；

S4、所述TTL控制信号为高电平时，PIN开关单元(10)内部的PIN二极管(V2)处于导通状态，所述射频输入信号通过PIN开关单元(10)；

S5、所述TTL控制信号的后沿到来时，PIN二极管(V2)的导通能力逐渐减弱，通过PIN开关单元(10)的射频输入信号的电流逐渐从最大值变为最小值，所述射频输入信号从电流最大值的90％至电流最大值的10％所需要的时间即为改善后的射频输入信号的下降沿；

S6、设置功率放大器单元(20)中的功率晶体管(V1)工作在线性区；所述PIN开关单元(10)的信号输出端输出改善后的射频输入信号至功率放大器单元(20)的信号输入端，所述功率放大器单元(20)的信号输出端输出功率放大后的射频输出信号。

3.如权利要求2所述的改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置的改善方法，其特征在于：所述射频输入信号的前沿的输入时间提前于所述TTL控制信号的前沿的输入时间为0.3μs，射频输入信号的后沿的输入时间滞后于TTL控制信号的后沿的输入时间为0.3μs。