[发明专利]晶体振荡器电路

权利要求书

1.一种晶体振荡器电路，其特征在于，包括：

晶振起振电路，所述晶振起振电路的第一输出端和第二输出端分别输出第一振荡信号和第二振荡信号；

放大电路，所述放大电路的第一输入端和第二输入端分别输入有基准电压信号和所述第二振荡信号，所述放大电路的输出端连接所述晶振起振电路的第一输出端；所述放大电路适于将所述基准电压信号和所述第二振荡信号进行差分放大；其中，所述基准电压信号的电压是可调的，所述放大电路的输出端输出的信号为偏置电压可调的第二振荡信号；

波形转换电路，适于将所述第二振荡信号转换为第一矩形波信号，实现对所述第一矩形波信号占空比的连续可调。

2.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述晶振起振电路包括：

晶体振荡器，所述晶体振荡器的第一输出端和第二输出端分别连接所述晶振起振电路的第一输出端和第二输出端；

第一负载电容，所述第一负载电容的第一端连接所述晶振起振电路的第一输出端，所述第一负载电容的第二端接地；

第二负载电容，所述第二负载电容的第一端连接所述晶振起振电路的第二输出端，所述第二负载电容的第二端接地；

反相器，所述反相器的输入端和输出端分别连接所述晶振起振电路的第一输出端和第二输出端。

3.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述放大电路为轨对轨运算放大器。

4.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述波形转换电路包括级联的至少一个缓冲器。

5.如权利要求2所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述反相器包括：第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中，所述第一PMOS晶体管的源极接电源，所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的栅极并连接所述反相器的输入端，所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述第一NMOS晶体管的漏极并连接所述反相器的输出端，所述第一NMOS晶体管的源极接地。

6.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，还包括：

延迟电路，适于为所述第一矩形波信号提供延时，以输出第二矩形波信号；

逻辑电路，所述逻辑电路适于对所述第一矩形波信号和第二矩形波信号进行逻辑运算并输出第三矩形波信号。

7.如权利要求6所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述延迟电路包括偶数个级联的反相器。

8.如权利要求6所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述逻辑电路为与门，所述与门的第一输入端和第二输入端分别输入有所述第一矩形波信号和第二矩形波信号，所述与门的输出端输出所述第三矩形波信号。