[发明专利]带温度检测的功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种带温度检测的功率半导体器件，其特征在于，第一导电类型衬底的正面形成有相互连接的第一金属区和第二金属区，从所述第一金属区引出有第一金属电极，从所述第二金属区引出有第二金属电极，所述第一金属电极与第二金属电极之间通过绝缘层隔离，且所述第一金属区和第二金属区在相同的温度下产生不同的感应电势，所述第一金属区和第二金属区被所述绝缘层包绕，且所述绝缘层内第一金属区的上方设置有第一开口，所述绝缘层内第二金属区的上方设置有第二开口，所述第一开口内填充有第一金属电极，所述第二开口内填充有第二金属电极，所述第一金属电极和第二金属电极与外部电流检测元件连接形成回路，通过检测所述回路中的电流大小来检测功率半导体器件的温度。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一金属区的材质为铂铑合金、镍铬合金或铜。

3.如权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一金属区的材质为铂铑合金、所述第二金属区的材质为铂；或者所述第一金属区的材质为镍铬合金、所述第二金属区的材质为镍硅合金；或者所述第一金属区的材质为铜、第二金属区的材质为铜镍合金。

4.如权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一金属区和第二金属区通过高温熔融相互连接。

5.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一金属区的形状为矩形，所述第二金属区的形状为矩形，所述第一金属区的厚度为0.1um-10um，所述第二金属区的厚度为0.1um-10um。

6.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述绝缘层为半导体氧化物层。

7.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一金属区和第二金属区与第一导电类型衬底之间形成有隔离层，所述隔离层为绝缘氧化物半导体层。

8.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括形成在所述第一导电类型衬底内的第二导电类型的阱区和形成在所述阱区内的第一导电类型的源区。

9.如权利要求1所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一导电类型衬底；

在所述第一导电类型衬底的正面形成隔离层，再在所述隔离层之上通过淀积、蒸发或溅射的工艺形成第一金属层，然后通过湿法或干法刻蚀形成第一金属区；

在所述隔离层之上通过淀积、蒸发或溅射的工艺形成第二金属层，然后通过湿法或干法刻蚀形成与所述第二金属区；

通过高温熔融的工艺将所述第一金属区和第二金属区相互连接，且所述第一金属区和第二金属区在相同的温度下产生不同的感应电势；

在所述第一金属区和第二金属区之上淀积一层绝缘层，然后用湿法或干法刻蚀工艺在绝缘层内第一金属区的上方形成第一开口，所述绝缘层内第二金属区的上方形成第二开口；

在所述绝缘层之上利用蒸镀或溅射工艺完成淀积第一金属电极层，然后通过湿法或干法工艺完成引出电极的刻蚀，形成第一金属电极和第二金属电极。