[发明专利]低相位噪声射频频率合成电路

权利要求书

1.低相位噪声射频频率合成电路，包括低相噪晶振(1)，其特征在于，低相噪晶振(1)与一级信号放大器(2)的输入端连接，一级信号放大器(2)的输出端与一级SBD三倍频器(3)的输入端连接，一级SBD三倍频器(3)的输出端与二级信号放大器(4)的输入端连接，二级信号放大器(4)的输出端与调制器(5)的第一输入端连接，调制器(5)的第二输入端接入三角波，调制器(5)的输出端与二级SBD三倍频器(6)的输入端连接，二级SBD三倍频器(6)的输出端与三级信号放大器(7)的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的低相位噪声射频频率合成电路，其特征在于，所述的一级SBD三倍频器(3)和二级SBD三倍频器(6)均包括电感L1、电感L2、电感L3、全波桥式整流器、电容C1、电容C2和电容C3，电感L1的一端作为输入端，另一端通过电容C1接电气地并且还通过全波桥式整流器与电感L2一端连接，电感L2另一端通过电感L3接电气地，电感L2两端并联有电容C2，电感L3两端并联有电容C3。

3.根据权利要求2所述的低相位噪声射频频率合成电路，其特征在于，所述的全波桥式整流器包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4和电感L4，二极管D1的阳极与二极管D2的阴极连接并作为输入端，二极管D4的阳极与二极管D3的阴极连接并作为输出端，二极管D1的阴极分别与二极管D4的阴极和电感L4的一端连接，二极管D2的阳极分别与二极管D3的阳极和电感L4的另一端连接。

4.根据权利要求1所述的低相位噪声射频频率合成电路，其特征在于，所述的调制器(5)包括电容C4、电容C5、电容C6、双电调变容二极管VD1、双电调变容二极管VD2、电感L5和电感L6，双电调变容二极管VD1的正极和双电调变容二极管VD2的正极连接且作为调制器(5)的第二输入端，电感L5一端和电感L6一端连接且作为调制器(5)的直流偏压输入端，电感L5另一端与双电调变容二极管VD1的负极连接，电感L6另一端与双电调变容二极管VD2的负极连接，电容C4一端作为调制器(5)的第一输入端，电容C4另一端与双电调变容二极管VD1的负极连接，电容C5一端作为调制器(5)的输出端，电容C5另一端与双电调变容二极管VD1的负极连接，电容C6的两端分别与双电调变容二极管VD1的负极和双电调变容二极管VD2的负极连接。

5.根据权利要求1所述的低相位噪声射频频率合成电路，其特征在于，所述的一级信号放大器(2)、二级信号放大器(4)和三级信号放大器(7)均包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电感L7、电感L8、三极管Q1，电阻R2一端和电感L7一端分别与电源连接，电阻R2的另一端与三极管Q1基极连接，三极管Q1基极通过电阻R3接电气地，电感L7另一端与三极管Q1集极连接，三极管Q1集极与电容C10一端连接，电容C10另一端作为输出端，电感L7的两端并联有电容C7，三极管Q1发射极与电容C9一端连接，电容C9另一端作为输入端，三极管Q1发射极与电阻R1一端连接，电阻R1另一端通过电感L8接电气地，电感L8两端并联有电容C8。