[发明专利]集成电路金属连线及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，包括：

对硅衬底上形成的金属层进行图形化处理，以形成金属连线；

在形成所述金属连线后，采用四氟化碳气体对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，以去除所述金属连线的表面氧化层和表面聚合物；

在去除所述表面聚合物后，对所述硅衬底依次进行湿法清洗和干法去胶处理；

在完成所述干法去胶处理后，采用预设工况条件下的氧离子对所述金属连线进行表面轰击，以去除所述干法去胶处理的副产物；

对硅衬底上形成的金属层进行图形化处理，以形成金属连线，具体包括以下步骤：

对硅衬底进行金属溅射处理，以形成铝层或铝合金层，并以所述铝层或所述铝合金层作为所述金属层；

根据金属连接版图对所述金属层进行光刻处理；

在完成所述光刻处理后，在射频氛围中采用三氟氢碳气体、三氯化硼气体和氯气的混合气体对所述金属层进行第一步干法刻蚀，所述第一步干法刻蚀的压力为25mT，所述第一步干法刻蚀的DC偏压为250V，所述射频氛围的射频电压为1500W。

2.根据权利要求1所述的集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，所述预设工况条件包括：预设工况温度为250℃，氧气流量为4.5slpm，氮气流量为0.5slpm，真空压强为2.5mT。

3.根据权利要求1所述的集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，所述第一步干法刻蚀的三氟氢碳气体的流速为14sccm，所述第一步干法刻蚀的三氯化硼气体的流速为145sccm，所述第一步干法刻蚀的氯气的流速为21sccm。

4.根据权利要求3所述的集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，在完成所述第一步干法刻蚀后，在非射频氛围中采用三氟氢碳气体、三氯化硼气体和氯气的混合气体对所述金属层进行第二步干法刻蚀，所述第二步干法刻蚀的压力为25mT，所述第二步干法刻蚀的DC偏压为250V。

5.根据权利要求4所述的集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，所述第二步干法刻蚀的三氟氢碳气体的流速为14sccm，所述第二步干法刻蚀的三氯化硼气体的流速为145sccm，所述第二步干法刻蚀的氯气的流速为21sccm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，在形成所述金属连线后，采用四氟化碳气体对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，以去除所述金属连线的表面氧化层和表面聚合物，具体包括以下步骤：

在形成所述金属连线后，采用流速为50sccm的四氟化碳气体对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，所述辅助干法刻蚀的压力为80mT。

7.根据权利要求6所述的集成电路金属连线的制备方法，其特征在于，在形成所述金属连线后，采用四氟化碳气体对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，以去除所述金属连线的表面氧化层和表面聚合物，具体还包括以下步骤：

在所述辅助干法刻蚀时，采用流速为50sccm的三氟氢碳对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，所述辅助干法刻蚀的压力为80mT。

8.一种集成电路金属连线，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一项所述的集成电路金属连线的制备方法制备而成。