[发明专利]全背场扩散N型硅基电池及其制备方法

权利要求书

1.一种全背场扩散N型硅基电池，包括N型硅基本体，其特征在于：所述 的N型硅基本体的正面自下而上依次设置有正面磷扩散n+层、正面氧钝化层、 以及正面减反射层；正面银电极穿透设置在正面磷扩散n+层、正面氧钝化层、 以及正面减反射层之间；所述的N型硅基本体的背面自上而下依次设置有硼扩 散p+层、背面氧钝化层、背面保护层以及铝背场；所述的硼扩散p+层上具有由 于激光开槽和铝厂烧结造成的p+层扩大区域；N型硅基电池的PN结设置于N型 硅基本体的背面；所述的铝背场上设置有背面银电极以及激光开孔部分的铝背 场填充区域。

2.如权利要求1所述的全背场扩散N型硅基电池，其特征在于：所述的背 面保护层为SiNx保护层。

3.一种如权利要求1所述的全背场扩散N型硅基电池的制备方法，其特征 在于：包括以下步骤：

1)双面抛光：选择N型单晶原硅片，用过氧化氢和氨水按照体积比6:1组 成的混合液经稀释后在50～80℃中处理3～10min，去除硅片表面机械损伤 层；将上述处理后硅片用质量浓度为1.6～2.0％、温度在50～70℃的碱性 溶液及抛光液进行腐蚀反应，然后用氢氟酸稀释液清洗，最后得到表面光洁， 显微镜下可以看到晶格在15μm以上的抛光面；

2)背面制结：在经过抛光处理的硅片的背面，通过旋涂含有硼源的液体， 并烘干；并在有氧条件下，在800-1100℃的温度下进行推进，掺杂形成n+扩散 层，扩散后方阻在30～140ohm/sq；

3)正面结和边缘处理：在链式氢氟酸和硝酸混合液上方，将扩散后的正面 向下漂浮经过，处理干净正面氧化层，以及边缘可能造成漏电的结区；链式氢 氟酸和硝酸的体积比为1:4～1:6；

4)正面制绒：用过氧化氢和氨水按照体积比6:1组成的混合液经稀释后在 60～80℃中预处理3～10min，去除硅片表面机械损伤层；将上述处理后硅 片用质量浓度为1.6～2.0％、温度在70～90℃的TMHA有机碱溶液及制绒 添加剂进行腐蚀反应，最后得到金字塔形状的绒面结构；然后用盐酸和水稀释 液清洗；

5)磷扩散：使用管式POCl₃磷扩散，扩散温度在700-820℃之间，推进温 度在820-850℃之间，方阻在60-140ohm/sq之间；

6)去BSG和PSG：使用氢氟酸稀释液去除BSG和PSG，氢氟酸质量浓度 为1-10％，清洗时间为2-10min；

7)钝化：使用AlO_x或热生长氧化硅完成正反面钝化；

8)背面镀膜：使用SiNx在背面80-300nm的厚度进行保护背面钝化层；

9)正面镀减反射膜：采用PECVD设备沉积优化后的氮化硅和氮氧化硅减 反射层；

10)背面激光开膜：使用激光在背面开出宽为20-200um的线图形，或点图 形，或线段图形。