[发明专利]LED芯片、LED芯片封装结构及制作方法在审
申请号: | 201610197321.4 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN107293626A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 张杰;彭遥 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:
外延片,所述外延片上具有第一电极区域和第二电极区域,所述第一电极区域内设有第一正极和第一负极,所述第二电极区域内设有第二正极和第二负极;所述外延片上设有用于电隔离的沟槽,所述第一正极和第二负极位于所述沟槽的一侧,所述第一负极和第二正极位于所述沟槽的另一侧;
共晶层,所述共晶层包括第一共晶层和第二共晶层,所述第一共晶层设置于第一电极区域并覆盖第一正极和第一负极,所述第二共晶层设置于第二电极区域并覆盖第二正极和第二负极。
2.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,还包括导电层;所述外延片包括衬底、位于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层,所述导电层设于P型半导体层之上,所述第一正极和第二正极设置在导电层上并与导电层电连接;所述第一电极区域和第二电极区域上设有延伸至N型半导体层的负电极孔,所述第一负极和第二负极设置在负电极孔中并与N型半导体层电连接,所述负电极孔的侧壁与第一负极和第二负极之间设有绝缘层。
3.如权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述沟槽的深度延伸至衬底。
4.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述沟槽内填充有绝缘材料。
5.如权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述导电层上还依次设有反射层、保护层,所述共晶层位于保护层之上。
6.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述共晶层覆盖外延片表面的面积占外延片表面总面积的50%-70%。
7.如权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述共晶层的材料为Cr/Ti/Au、Ti/ Al或Ti/Au合金中的一种。
8.一种LED芯片封装结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板上设置有电极;
如权利要求1-7任一项所述的LED芯片,所述LED芯片倒置在所述基板上,所述第一共晶层和第二共晶层与所述基板上的电极对应连接。
9.一种LED芯片的制作方法,其特征在于,包括:
形成外延片,所述外延片包括衬底和在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层;
在外延片上形成刻蚀至衬底的沟槽,并在沟槽内填充绝缘材料,所述沟槽将外延片分割为两部分,沟槽的两侧分别形成有第一电极区域和第二电极区域;
在外延片上的第一电极区域和第二电极区域分别形成负电极孔,所述负电极孔刻蚀至N型半导体层;
在P型半导体层上形成导电层;
在第一电极区域和第二电极区域的导电层上分别形成第一正极和第二正极,在第一电极区域和第二电极区域的负电极孔中分别形成第一负极和第二负极;
在负电极孔的侧壁上形成绝缘层;
形成共晶层,所述共晶层包括第一共晶层和第二共晶层,所述第一共晶层形成在第一电极区域并覆盖第一正极和第一负极,所述第二共晶层形成在第二电极区域并覆盖第二正极和第二负极。
10.如权利要求9所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,在第一电极区域和第二电极区域的导电层上分别形成第一正极和第二正极,第一电极区域和第二电极区域的负电极孔中分别形成第一负极和第二负极之后,还包括:
在导电层上依次形成反射层和保护层。
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