[发明专利]一种光强调制方法有效
申请号: | 201610200470.1 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN107290935B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 马鹏川;田毅强 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调制 方法 | ||
1.一种光强调制方法,其特征在于,包括:
步骤1:根据照明系统的弥散斑函数、照明视场的既有光强分布及目标光强分布,计算得到所需的掩模版透过率分布;
步骤2:根据目标光强分布的精度需求,对掩模版进行网格划分,根据所述掩模版透过率分布和透过率分布精度需求,继而确定每个网格内不透光点的分布;
步骤3:根据所述不透光点的分布,制作加工掩模版;然后,将所述掩模版设置在照明系统中。
2.根据权利要求1所述的光强调制方法,其特征在于,步骤1中,所述掩模版透过率分布可通过以下公式反卷积得到:
(K*N)×Fun=M
其中,K表示所述既有光强分布,
M表示所述目标光强分布,
N表示所述掩模版透过率分布,
Fun表示所述弥散斑函数,
*表示K和N对应区域的值相乘,
×表示卷积,
所述弥散斑函数具体为:
3σ=R=L*tan(θ),
其中,
R表示照明视场中形成的光斑的半径,
x、y表示照明视场中某点的坐标值,
L表示所述掩模版与照明视场之间的距离,
θ表示照明系统发散角。
3.根据权利要求1所述的光强调制方法,其特征在于,步骤2中所述根据目标光强分布的精度需求,对掩模版进行网格划分具体为:对掩模版进行初始网格划分,再对划分的网格进行插值,且插值后相邻网格的光强梯度的最大值需小于所述目标光强分布的精度需求。
4.根据权利要求1所述的光强调制方法,其特征在于,步骤2中所述根据所述掩模版透过率分布和透过率分布精度需求,继而确定每个网格内不透光点的分布具体为:根据所述不透光点的面积与对应网格面积之比需不大于所述透过率分布精度需求,计算得到所述不透光点的面积,再根据所述掩模版透过率分布和不透光点的面积,拟合得到每个网格内不透光点的数量和相邻不透光点间的间距。
5.根据权利要求1所述的光强调制方法,其特征在于,所述不透光点采用铬点结构。
6.根据权利要求1所述的光强调制方法,其特征在于,步骤3中,通过掩模版制版工艺制作加工所述掩模版。
7.根据权利要求1所述的光强调制方法,其特征在于,所述掩模版采用熔融石英材质。
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