[发明专利]一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法

权利要求书

1.一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法，其特征在于具体步骤为：

（1）氧化铝晶体基底的制备，将0.2mm厚的铝片剪切后放入丙酮中超声清洗15分钟，再将超声清洗后的铝片在350℃的温度下隔绝空气退火3小时，将退火处理后的铝片进行电化学抛光，以退火处理后的铝片作为阳极，圆形铜片作为阴极，阴阳两极平行相对，以体积比为5:1的乙醇和高氯酸的混合溶液作为电解液，在20V的电压和6-8℃的温度下电解直至铝片表面一层黑色薄膜退去，电解后用60℃热水冲洗表面的电解液，然后以预处理后的铝片作为阳极，铂电极作为阴极，在醋酸溶液中于5℃进行阳极氧化直至铝片变为透明的氧化铝为止，其中氧化的电压为45V，最后将得到的氧化铝基底用高纯水清洗后置于退火炉中，在高纯氧气气氛下以50℃/s的升温速率升温至800℃保温1小时，然后随炉冷却后制得氧化铝晶体基底，铝片的纯度为99.99%，醋酸溶液的摩尔浓度为1.0mol/L；

（2）过渡层的制备，以丙酸为溶剂配制摩尔浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮铈前驱液或者以丙酮为溶剂配制总的阳离子浓度为1mol/L的乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆混合前驱液，将氧化铝晶体基底置于旋涂机中进行乙酰丙酮铈前驱液或乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆混合前驱液的涂覆，然后经过退火处理制得CeO₂/Al₂O₃基片或LZO/Al₂O₃基片。

2.根据权利要求1所述的在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法，其特征在于：步骤（2）中制备CeO₂/Al₂O₃基片的退火处理过程为：以300-600℃/h的升温速率升温至1000℃并保温5分钟后随炉冷却制得CeO₂过渡层。

3.根据权利要求1所述的在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法，其特征在于：步骤（2）中制备LZO/Al₂O₃基片的退火处理过程为：以Ar-H₂作为保护气，其中H₂的体积分数为4%，退火烧结温度为1100-1150℃，烧结保温时间为90分钟制得LZO过渡层。