[发明专利]一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法在审
申请号: | 201610202597.7 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105742195A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 张江华;梁新夫 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/50 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 周彩钧 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 孔型 表面 滤波 芯片 封装 结构 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,属于半导体封装技术领域。
背景技术
表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用,其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波,对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求,需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质,即空腔结构设计。
现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内,基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高,而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高,容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封,形成空腔结构。
现有的表面声滤波器件的封装方法,流程较长,成本较高,且结构尺寸还是比较大,在目前电子设备越做越小的潮流趋势下,需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件,并且具有更低的制造成本。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为:一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,所述方法包括以下工艺步骤:
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆;
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层;
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶,用光刻,显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除;
步骤四、贴合晶圆开孔并进行贴合
取一片贴合晶圆,先将贴合晶圆对应于表面声滤波芯片晶圆的电极上方的位置进行开孔,然后将已经完成开孔的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起,,从而在芯片感应区域上方形成空腔;
步骤五、埋孔
用导电胶或电镀金属埋入开孔内;
步骤六,制备第二金属层
在步骤五开孔内埋入的导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层;
步骤七、切割
切割分成单颗产品。
一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法,所述方法包括以下工艺步骤:
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆;
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层;
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶,用光刻,显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除;
步骤四、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆,先将贴合晶圆对应于表面声滤波芯片晶圆的电极上方的位置进行半蚀刻开孔,然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起,从而在芯片感应区域上方形成空腔;
步骤五、减薄
将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置,以露出开孔;
步骤六、埋孔
用导电胶或电镀金属埋入开孔内;
步骤七,制备第二金属层
在步骤六开孔内埋入的导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层;
步骤八、切割
切割分成单颗产品。
所述步骤七与步骤八之间对第二金属层表面进行植球。
所述绝缘层采用B-stage胶,可不需要在贴合晶圆上涂粘合胶,直接进行贴合。
所述贴合晶圆采用玻璃材料、绝缘材料。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、与传统的工艺相比,整体生产流程是晶圆级的,能形成小尺寸的封装结构,而且工艺简单,能保证芯片感应区的空腔结构,能形成可靠性较高的蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构;
2、本发明的蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构可以直接使用,也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装,形成系统级封装。
附图说明
图1为本发明一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的示意图。
图2~图9为本发明一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例一的工艺流程图。
图10~图18为本发明一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例二的工艺流程图。
其中:
表面声滤波芯片晶圆1
电极区域1.1
感应区域1.2
第一金属层2
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造