[发明专利]一种复合型场发射阴极发射源及其制备方法

权利要求书

1.一种复合型场发射阴极发射源，其特征在于：包括底电极、覆盖于其上的微纳尖端结构、覆盖包裹于微纳结构的氧化物，所述的底电极为金属类或半导体类的基底，

所述的微纳结构为基于碳材料的碳纳米管或碳纳米纤维、基于各类良导体金属的微纳尖锥结构。

2.如权利要求1所述的一种复合型场发射阴极发射源，其特征在于：所述微纳结构与基底良好的电接触，是指下列两情况中的任何一种：(1)基底之上沉积金属层，金属层表面再加工出微纳金属结构；(2)基底之上沉积金属层，金属层之上沉积CNT或CNF，它们与金属基底通过导电的粘附层连接形成良好附着力和电接触，或共沉积CNT/CNF与金属，形成CNT/CNF镶嵌于所沉积金属之中。

3.如权利要求1或2所述的一种复合型场发射阴极发射源，其特征在于：所述氧化物，是指MgO、SrO、BaO、CaO、MgCaO、SrCaO中的一种，沉积厚度30-250nm，包裹覆盖于上述微纳结构表面和尖端。

4.如权利要求1或2所述的一种复合型场发射阴极发射源的制备方法，其特征在于，通过以下的工艺加工步骤实现的：

(1)在基底上通过物理沉积或化学沉积方法沉积一层一定厚度的铜、镍、金、铝、钛等金属导体；

(2)在金属层上用微纳加工掩膜刻蚀的方法，刻蚀制备出具有一定密度、特定形状和尺寸的、均一的微纳尖锥结构；或在金属层上采用复合电镀、电泳、直接生长、丝网印刷、化学镀等各种方法中的一种，制备出具有合适密度和朝向的CNT/CNF结构，并与金属层形成良好附着力和电接触；

(3)在微纳结构表面物理或化学方法沉积一层30-250nm厚度的上述低功函数氧化物中的一种。