[发明专利]一种LED芯片用键合衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201610203193.X | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105762263A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 云峰;郭茂峰;苏喜林 | 申请（专利权）人： | 陕西新光源科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市雁塔*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 用键合 衬底 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在起始键合衬底(101)上制备牺牲层金属(102)；
2)对起始键合衬底上的牺牲层金属(102)利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属(103)；
3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余的全部牺牲层金属(102)；
4)在过渡层金属(103)上制备永久键合金属层(104)，以形成最终的键合衬底。
2.根据权利要求书1所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，起始键合衬底(101)，是导电导热材料再热定型的机械性能良好的基板Si、SiC、AlSi、Cu、CuMo、CuW中的一种。
3.根据权利要求书1所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，起始键合衬底上牺牲层金属(102)，其材质是金、银、铝、铟、锡、镍、铬、钛、铂及其合金的一种或几种。
4.根据权利要求书1所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，剩余的牺牲层金属(102)腐蚀方法采用干法刻蚀或湿法刻蚀中的一种。
5.根据权利要求书1所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，该永久键合金属层(104)的材质是金、银、铝、铟、锡、镍、铬、钛、铂及其合金的一种或几种。
6.一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在起始键合衬底(101)上制备牺牲层金属(102)；
2)对起始键合衬底上的牺牲层金属(102)利用高能激光辐照或高能等离子轰击进行表面改性处理，使该牺牲层金属全部形成过渡层金属(103)；
3)在过渡层金属(103)上制备永久键合金属层(104)，以形成最终的键合衬底。
7.根据权利要求书6所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，
起始键合衬底(101)，是导电导热材料再热定型的机械性能良好的基板Si、SiC、AlSi、Cu、CuMo、CuW中的一种。
8.根据权利要求书6所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，起始键合衬底上牺牲层金属(102)，其材质是金、银、铝、铟、锡、镍、铬、钛、铂及其合金的一种或几种。
9.根据权利要求书6所述的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，该永久键合金属层(104)的材质是金、银、铝、铟、锡、镍、铬、钛、铂及其合金的一种或几种。
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