[发明专利]一种电渗析用复合电极、其制备方法和用途在审
申请号: | 201610203527.3 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105688677A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 张光晋;刘荣基;曹宏斌;石绍渊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
主分类号: | B01D61/46 | 分类号: | B01D61/46 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;侯潇潇 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电渗析 复合 电极 制备 方法 用途 | ||
1.一种复合电极,其特征在于,所述复合电极包括导电基底,导电基底 上的石墨烯以及分散在石墨烯表面的金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的复合电极,其特征在于,所述石墨烯与金属氧 化物构成石墨烯/金属氧化物复合材料,石墨烯/金属氧化物复合材料固定于导 电基底上;
优选地,所述石墨烯/金属氧化物复合材料中,金属氧化物均匀地分散在 石墨烯的表面;
优选地,所述导电基底包括钛板、石墨片、不锈钢板或玻碳片中的任意一 种或至少两种的组合;
优选地,所述金属氧化物包括氧化钌、氧化铱、氧化钯、氧化铂、氧化 铅、氧化锡或氧化锑中的任意一种或至少两种的混合物;
优选地,所述金属氧化物的粒径为1nm~1μm,优选为10nm~300nm。
3.一种如权利要求1或2所述的复合电极的制备方法,其特征在于,所述 方法包括以下步骤:
(1)制备导电基底/石墨烯电极;
(2)通过电沉积法在步骤(1)得到的导电基底/石墨烯电极上沉积金属氧 化物,制备导电基底/石墨烯/金属氧化物复合电极。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)采用在导电基底上生长石墨烯的方法,或者采用滴涂的方法,制备导 电基底/石墨烯电极;
(2)以导电基底/石墨烯电极作为工作电极,向电解液中加入金属盐前驱 体的水溶液,采用循环伏安法,进行电沉积反应,并在电沉积反应结束后对完 成电沉积反应的电极进行热处理,得到导电基底/石墨烯/金属氧化物复合电 极。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述导电基板包括钛板、 石墨片、不锈钢板或玻碳片中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,步骤(1)所述的在导电基底上生长石墨烯的方法包括电化学还原 法或化学气相沉积法中的任意一种;
优选地,步骤(1)中所述的滴涂的方法是指先制备石墨烯,然后将石墨烯 的悬浮液滴涂于导电基底上;
优选地,所述的滴涂的方法中,石墨烯的制备方法包括化学氧化-还原 法、溶剂热还原法、有机合成法、外延生长法、机械剥离法或液相分散法中的 任意一种;
优选地,所述的化学氧化-还原法中使用的还原剂包括水合肼、硼氢化 钠、葡萄糖、氢氧化钾、维生素C、对苯二酚、乙二胺、柠檬酸钠、氢碘酸或 L-半胱氨酸中的任意一种。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述电沉积 反应过程中,采用玻碳片作为对电极,优选采用甘汞电极SCE作为参比电极;
优选地,步骤(2)所述电沉积反应过程中,电位的范围为-1.0vs.SCE~ +1.5Vvs.SCE,优选为-0.5vs.SCE~+1.2Vvs.SCE,进一步优选为-0.3vs.SCE ~+1.0Vvs.SCE;
优选地,步骤(2)所述电沉积反应过程中,循环伏安法中的循环数的范围 为5~5000,优选为10~1000,进一步优选为50~500。
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