[发明专利]一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法有效
申请号: | 201610204491.0 | 申请日: | 2016-04-04 |
公开(公告)号: | CN105679485B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 王群;张龙定;金鑫;姚晓明;瞿志学;唐章宏 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01F1/147 | 分类号: | H01F1/147;C21D1/26;B22F1/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁场 诱导 氮化 干扰 抑制 材料 制备 方法 | ||
1.一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料,其特征在于先将还原铁粉进行扁平化处理,采用无氧环境退火时外加定向磁场,磁场热处理使其具有热磁各向异性和磁晶各向异性;然后在氨气/氢气混合气中氮化,同时外加定向磁场;再将扁平化处理后的铁粉与粘结剂以及加工助剂混合均匀,采用涂覆技术或流延技术制成片状薄膜,采用涂覆技术或流延技术成型时,直接加一个与薄膜方向平行的定向磁场,使得沿着粉体的易磁化方向进行取向,形成了磁织构化结构;选用偶联剂、增塑剂、分散剂中的一种或几种作为加工助剂。
2.根据权利要求1所述的一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,其特征在于,扁平化磁粉的重量含量为85%~65%;粘结剂选用聚乙烯醇缩丁醛,重量含量为10%~30%;所述的偶联剂选用TC-WT钛酸酯偶联剂,重量含量为1%~3%;增塑剂选用邻苯二甲酸二丁酯,重量含量为1%~3%;分散剂选用三油酸甘油酯,重量含量为1%~3%。
3.根据权利要求1所述一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,具体操作步骤如下:
(1)将还原铁粉加入振动式球磨机中,进行扁平化处理;
(2)将扁平化铁粉进行无氧环境退火,同时外加一个定向磁场;
(3)将扁平化的铁粉进行氮化处理,同时外加一个定向磁场;
(4)将粘结剂和所需助剂溶于溶剂中,搅拌使其充分溶解,然后加入磁粉,使其充分混合均匀,脱泡后在水平放置的基板上,采用涂覆技术或流延技术制成片状薄膜,静置;采用涂覆技术或流延技术成型时,直接加一个与薄膜方向平行的定向磁场,使得晶粒沿着外加磁场方向择优取向,在室温下自然干燥成型;所述的溶剂选自丙酮、正丁醇、环己醇中的一种或几种组合。
4.根据权利要求3所述的一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,其特征是,在步骤(1)中,采用容积为2L的圆柱形球磨罐,圆柱形磨球的直径是1cm,高为3cm,振动前圆柱形球磨罐和磨球都需要水平放置。
5.根据权利要求3所述的一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,其特征是,在步骤(1)中,选取平均粒径30~40μm的铁粉作为原料,振动式球磨机中的球料质量比选用20:1;将磁粉放入不锈钢球磨罐中,用无水乙醇为球磨介质,球磨时间选用1~10h。
6.根据权利要求3所述的一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,其特征是,在步骤(2)中,将球磨后的扁平化磁粉干燥后,采用无氧退火时,退火温度在铁的再结晶温度以上,居里温度以下,退火温度选用650℃~750℃之间,退火时间选用10min,同时外加一个与其易磁化轴方向平行的定向磁场,磁场的大小为1~5T。
7.根据权利要求3所述的一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,其特征是,在步骤(3)中,将磁粉置于管式炉中,外加一个定向磁场,磁场的大小为1~5T,在550℃下氮化2~5h,氮化气氛为NH3/H2混合气,NH3/H2气体体积比为2:1~1:1。
8.根据权利要求3所述的一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,其特征是,在步骤(4)中,采用涂覆技术或流延技术成型时,直接加一个与薄膜水平方向平行的定向磁场,使得粉体在磁场力作用下发生转动,使得磁粉的易磁化轴方向取向一致;随后自然干燥成型。
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