[发明专利]用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用有效
| 申请号： | 201610206389.4 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105821435B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 荣格·韩;孙乾;张宇 | 申请（专利权）人： | 耶鲁大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25F3/12;C30B29/40;C30B33/10;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3063;H01L33/00;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 gan 装置 基于 导电性 选择性 蚀刻 应用 | ||
【权利要求书】：
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