[发明专利]电致发光激励临界转变温度提高的MgB2基超导体及其制备方法

权利要求书

1.电致发光激励临界转变温度提高的MgB₂基超导体，其特征在于水热法制备得到两种不同发光强度的掺杂剂Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺Ⅱ，其中Y和Eu的摩尔比为0.95:0.05；异位掺杂法制备Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺Ⅱ发光体纳米棒掺杂MgB₂基超导体，掺杂剂Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺Ⅱ的质量分数分别为1％、2％。

2.如权利要求1中所述的电致发光激励临界转变温度提高的MgB₂基超导体，其特征在于发光体纳米棒Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺Ⅱ分布在MgB₂超导体颗粒周围。

3.如权利要求1中所述的电致发光激励临界转变温度提高的MgB₂基超导体的制备方法，包括以下步骤:

(1)称取0.153g的Y₂O₃和0.012g的Eu₂O₃，Y和Eu的摩尔比为0.95:0.05，60℃下溶解于过量硝酸中，得到Y(NO₃)₃和Eu(NO₃)₃的混合溶液，将混合溶液加热到80℃，蒸干，除去过量硝酸，得到白色晶体，加入10mL去离子水搅拌溶解，得到溶液A1；再取1份A1加入0.2g尿素搅拌溶解，得到混合溶液A2；另配置两份8ml溶有0.72g氢氧化钠的溶液，将其分别缓慢滴加至A1和A2溶液并不断搅拌，滴加完之后继续搅拌30min，分别转移至25ml反应釜中，放入烘箱中160℃下保温24h，得到白色沉淀B1和B2；将沉淀B1和B2离心，水洗、乙醇洗各3次，然后将沉淀在60℃下干燥12小时，得到白色前驱体；将前驱体转移至坩埚中，在管式炉中以5℃·min^-1的速率升温至800℃并保温2小时，然后随炉冷却至室温，得到最终样品Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺Ⅱ发光体纳米棒；

(2)称取相应不同质量分数发光体纳米棒Y₂O₃:Eu³⁺Ⅰ和Y₂O₃:Eu³⁺Ⅱ分别放在酒精中超声，不少于20min，形成溶液，再加入相应量的在手套箱中充分研磨后的MgB₂粉料，超声不少于15min，形成悬浮液，将悬浮液放在表面皿中，在真空干燥箱中60℃，1h干燥成黑色粉末，将粉末充分研磨后压片，压力和保压时间为16-20MPa，5-8min，在高纯Ar气氛下，800℃保温1h得到相应的异位掺杂样品。