[发明专利]阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610206911.9 | 申请日: | 2016-04-05 |
公开(公告)号: | CN105633102B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 宁云龙;杨志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/423;G02F1/1333;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 薄膜晶体管 显示 器件 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置,其中的阵列基板包括基板和依次形成在基板上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层;其中,栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成;至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离基板的方向逐层增大;至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离基板的方向逐层减小。基于此,本发明可以改善源漏极金属层中由栅极金属层边缘处的坡度角所导致的内部缺陷,有利于提升良率、降低生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置。
背景技术
阵列基板是一些显示产品的重要组成部分。如图1所示,阵列基板主要可以分为显示区域10和非显示区域20。未在图中详细示出的是,显示区域10内设有横向排列的栅极信号线和纵向排列的源漏极信号线,栅极信号线和源漏极信号线交叉限定出显示区域10内的若干个子像素区域。每个子像素区域内,配置有主要由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)形成的电路结构。非显示区域20主要包括栅极信号驱动区域201和源极信号驱动区域202。
在传统的底栅结构下,栅极信号线会与薄膜晶体管的栅电极在第一次金属的构图工艺中形成,而在形成栅绝缘层之后源漏极信号线则会与薄膜晶体管的源电极和漏电极在第二次金属的构图工艺中形成。如图2所示,基板301上依次形成了栅金属层304、栅绝缘层302和源漏金属层303,图示位置为源漏极信号线与栅极信号线相互交叠的位置。此处,由于栅金属层304的边缘处存在坡度角,因而其坡面上形成的源漏金属层303很容易产生缺陷。具体来说,较大的坡度角容易造成坡面上的感光胶涂覆不均,进而在刻蚀形成源漏金属层303时,未被充分覆盖的金属膜层就会被刻蚀液钻刻,严重时会导致断路。
为解决该问题,现有技术通常会通过在有栅极信号线和源漏极信号线交叠的部位增加有源层垫片来缓解坡度角的影响,如图3中设置在栅金属层304与源漏金属层303之间的有源层垫片305。通过这样的方式,虽然能在一定程度上缓解坡度角带来源漏金属层缺陷问题,但其相当于向栅极信号线和源漏极信号线之间增设了介质材料,造成耦合电容的增大;不仅会影响信号线的信号传输性能,还会带来静电击穿的风险。
发明内容
针对现有技术的缺陷,本发明提供一种阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置,可以改善源漏极金属层中由栅极金属层边缘处的坡度角所导致的内部缺陷。
第一方面,本发明提供了一种阵列基板,包括:基板和依次形成在所述基板上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层;其中,
所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成;
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大;
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离所述基板的方向逐层减小。
可选地,所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层均采用同一种金属材料形成;所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的致密程度沿着背离所述基板的方向逐层减小。
可选地,所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在经图案化处理之前,由同一种金属沉积工艺在不同工艺参数下逐层形成,使得其在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大。
可选地,所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层厚度均相同。
第二方面,本发明提供了一种薄膜晶体管,包括:衬底和依次形成在所述衬底上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层;其中,
所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的