[发明专利]一种集成保护台面晶闸管及其制作方法

权利要求书

1.一种集成保护台面晶闸管的制作方法，其特征在于它在玻璃钝化层(4)上面形成一定厚度 的PI胶钝化层(1)，该PI胶钝化层(1)在高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150 分钟加热，使PI胶钝化层(1)亚胺化并和玻璃钝化层(4)融合，形成集成保护层。

2.根据权利要求1所述的一种集成保护台面晶闸管的制作方法，其特征在于具体步骤为：

一、芯片热生长形成氧化层，用光刻技术对氧化层进行第一次光刻腐蚀，称为穿通光 刻，扩散形成穿通区(9)；

二、在穿通区(9)的基础上，用扩散技术进行芯片正背面双面硼基区扩散，形成基区 (3)和阳极(7)；

三、在基区(3)的基础上，采用光刻技术对氧化层进行第二次光刻腐蚀，称为开二次 阴极区，形成阴极区(2)；

四、用光刻技术对氧化层进行第三次光刻腐蚀，称为开台面槽，通过台面腐蚀的方法， 形成一定深度的台面槽，通过玻璃钝化填充，形成玻璃钝化层(4)；

五、用光刻技术对氧化层进行第四次光刻腐蚀，称为开引线孔，所述引线孔分别对准 阴极区(2)、门极(6)和阳极(7)；

六、用蒸发台蒸额定厚度的铝膜，形成铝电极；

七、用常规光刻的方法将不需要铝覆盖处的铝去除掉，保留电极孔处的铝电极；

八、在铝电极的基础上，在铝电极表面覆盖PI胶，采用光刻技术对表面的PI胶进行光 刻腐蚀形成PI胶钝化层(1)；

九、在玻璃钝化层(4)上面形成一定厚度的PI胶钝化层(1)，该PI胶钝化层(1)在 高纯氮气保护下，以280～320℃温度，经过100～150分钟加热，使PI胶钝化层(1)亚胺化 并和玻璃钝化层(4)融合，形成集成保护层。

3.根据权利要求2所述的一种集成保护台面晶闸管的制作方法，其特征在于步骤四中，形成 一定深度的台面槽，深为50～80微米。

4.根据权利要求1或2所述的一种集成保护台面晶闸管的制作方法，其特征在于在玻璃钝化 层(4)上面形成一定厚度的PI胶钝化层(1)，厚度为3～10微米。

5.根据权利要求1或2所述的一种集成保护台面晶闸管的制作方法，其特征在于在玻璃钝化 层(4)上面形成一定厚度的PI胶钝化层(1)，该PI胶钝化层(1)在高纯氮气保护下，以 300℃温度，经过120分钟加热，使PI胶钝化层(1)亚胺化并和玻璃钝化层(4)融合， 形成集成保护层。

6.一种集成保护台面晶闸管，其特征在于其玻璃钝化层(4)表面覆盖有PI胶钝化层(1)， 玻璃钝化层(4)和PI胶钝化层(1)形成集合保护层。

7.根据权利要求6所述的一种集成保护台面晶闸管，其特征在于它包括芯片，在该芯片上有 阴极区(2)、基区(3)、玻璃钝化层(4)、阴极(5)、门极(6)、阳极(7)、长基区(8) 和穿通区(9)，在该芯片依次形成有基区(3)，基区(3)其上形成有阴极区(2)，阴极区 (2)两端形成台面槽及玻璃钝化层(4)，玻璃钝化层(4)表面覆盖有PI胶钝化层(1)， 玻璃钝化层(4)和PI胶钝化层(1)形成集合保护层；阴极区(2)、基区(3)和阳极(7) 上形成有引线孔，所述引线孔分别对准阴极区(2)、门极(6)和阳极(7)，该引线孔中填 充有铝电极，铝电极其上形成PI胶钝化层(1)。

8.根据权利要求7所述的一种集成保护台面晶闸管，其特征在于所述台面槽深50～80微米。

9.根据权利要求6或7所述的一种集成保护台面晶闸管，其特征在于所述玻璃钝化层(4)表 面覆盖有PI胶钝化层(1)，该PI胶钝化层(1)的厚度为3～10微米。