[发明专利]一种阵列基板及液晶显示面板

说明书

【技术领域】

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种阵列基板 及液晶显示面板。

【背景技术】

现有液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板上设 置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极，源极和漏极以及有源层 (用于形成沟道)，该有缘层的材料为氧化物半导体材料。

现有液晶显示面板的制作过程中，不可避免地用到紫外光照 射，由于氧化物半导体材料在受到紫外光照射时，会降低薄膜晶 体管的充电性能，如图1所示，给出光照前的薄膜晶体管的充电 性能，如图2所示，给出光照后的薄膜晶体管的充电性能，图1 和图2中横坐标表示电压值，纵坐标表示电容值，对比两张图， 不难发现，薄膜晶体管的阈值电压变小，也即充电性能下降，降 低了显示效果。

因此，有必要提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现 有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解 决现有技术的薄膜晶体管的沟道在紫外光照射下，导致其充电性 能降低，显示效果差的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明构造了一种阵列基板，其包括：

衬底基板；

第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极 区；

栅绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一 金属层和第二金属层；

有源层，部分位于所述栅绝缘层上，用于形成沟道；

所述第二金属层，位于所述有源层上，包括所述薄膜晶体管 的漏极区和源极区；

第一绝缘层，位于所述第二金属层上；以及

第三金属层，位于所述第一绝缘层上，所述第三金属层包括 光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。

在本发明的阵列基板中，所述第三金属层还包括像素电极， 所述光照保护区与所述像素电极是在同一制程工序中得到的。

在本发明的阵列基板中，所述阵列基板还包括透明导电层， 所述透明导电层位于所述第三金属层上，所述透明导电层包括像 素电极。

在本发明的阵列基板中，所述光照保护区在所述衬底基板上 的投影面积略大于所述沟道在所述衬底基板上的投影面积。

在本发明的阵列基板中，所述阵列基板还包括平坦层，所述 平坦层位于所述第三金属层上。

本发明还提供一种液晶显示面板，其包括：

彩膜基板，与阵列基板相对设置；

液晶层，位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，以及

所述阵列基板，其包括：

衬底基板；

第一金属层，位于所述衬底基板上，包括薄膜晶体管的栅极 区；

栅绝缘层，部分位于所述第一金属层上，用于隔离所述第一 金属层和第二金属层；

有源层，部分位于所述栅绝缘层上，用于形成沟道；

所述第二金属层，位于所述有源层上，包括所述薄膜晶体管 的漏极区和源极区；

第一绝缘层，位于所述第二金属层上；以及

第三金属层，位于所述第一绝缘层上，所述第三金属层包括 光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。

在本发明的液晶显示面板中，所述第三金属层还包括像素电 极，所述光照保护区与所述像素电极是在同一制程工序中得到 的。

在本发明的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括透明导电 层，所述透明导电层位于所述第三金属层上，所述透明导电层包 括像素电极。

在本发明的液晶显示面板中，所述光照保护区在所述衬底基 板上的投影面积略大于所述沟道在所述衬底基板上的投影面积。

在本发明的液晶显示面板中，所述阵列基板还包括平坦层， 所述平坦层位于所述第三金属层上。

本发明的阵列基板及液晶显示面板，由于在于沟道对应的位 置上设置光照保护区，从而避免沟道受到紫外光照射，提高了薄 膜晶体管的充电性能和显示效果。

【附图说明】

图1为现有技术光照前的薄膜晶体管的充电性能示意图；

图2为现有技术光照后的薄膜晶体管的充电性能示意图；

图3为本发明阵列基板的结构示意图；

图4为本发明阵列基板的俯视图。

【具体实施方式】