[发明专利]数据储存装置以及快闪存储器的检测方法

说明书

本发明涉及一种数据储存装置以及快闪存储器的检测方法。该数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。上述快闪存储器包括一存储器阵列。上述控制器对上述快闪记忆进行一编程操作。当上述控制器发送上述编程操作的一编程命令至上述快闪存储器之后，上述控制器在达到上述快闪存储器的一页面编程时间之前发送一第一读取状态命令至上述快闪存储器，并根据上述快闪存储器所回报的一第一存储器状态来判断上述快闪存储器是否执行上述编程操作。

技术领域

本发明有关于一种数据储存装置，特别是有关于一种能检测编程(program)操作的数据储存装置。

背景技术

快闪存储器(Flash Memory)为一种普遍的非挥发性数据储存装置，是以电性方式抹除与程序化。以非及闸型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作记忆卡 (memorycard)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬碟(SSD)、嵌入式快闪存储器模组(eMMC)…等使用。近年来，由于快闪存储器具有数据非挥发性、省电、体积小以及无机械结构等的特性，因此适合使用在各种电子装置上，尤其是可携式电子产品。

快闪存储器包括多个区块(block)，每一区块包括多个页(page)以供数据储存。当快闪存储器自控制器接收编程(写入)命令时，便依控制器的指示以及编程地址将数据储存至该等区块的某些页。当快闪存储器自控制器收到读取命令时，便依控制器的指示及读取地址自该等区块的某些页读出数据而回传数据至控制器。然而，当数据在储存至快闪存储器的时候若有意外状况发生，则可能造成编程操作失败。假如控制器无法即时地得知编程操作为失败，则可能导致后续所读取到的数据为错误的。

因此，需要一种检测方法，能判断快闪存储器的编程操作是否正常。

发明内容

本发明提供一种数据储存装置。上述数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。上述快闪存储器包括一存储器阵列。上述控制器对上述快闪记忆进行一编程操作。当上述控制器发送上述编程操作的一编程命令至上述快闪存储器之后，上述控制器在达到上述快闪存储器的一页面编程时间之前发送一第一读取状态命令至上述快闪存储器，并根据上述快闪存储器所回报的一第一存储器状态来判断上述快闪存储器是否执行上述编程操作。

再者，本发明提供一种检测方法，用以检测一快闪存储器的一编程操作。藉由一控制器，发送上述编程操作的一编程命令至上述快闪存储器。在达到上述快闪存储器的一页面编程时间之前，藉由上述控制器，发送一第一读取状态命令至上述快闪存储器。根据上述快闪存储器所回报的对应于上述第一读取状态命令的一第一存储器状态，判断上述快闪存储器是否执行上述编程操作。

附图说明

图1显示了根据本发明一实施例所述的之数据储存装置；

图2显示了根据本发明一实施例所述的一示范波形图，用以说明图1中控制器与快闪存储器之间所传送的信号；以及

图3显示了根据本发明一实施例所述的检测方法，用以检测快闪存储器的编程操作。

符号说明

100～数据储存装置；

110～控制器；

120～快闪存储器；

130～数据暂存器；

140～存储器阵列；

ALE、I、I/O、O～信号；以及

S310-S390～步骤。

具体实施方式

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附附图，作详细说明如下：