[发明专利]一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法有效
申请号: | 201610207716.8 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105655447B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 罗派峰;刘兆范;夏伟;周圣稳 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人: | 何梅生,卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适于 各种 衬底 形状 钙钛矿 薄膜 大面积 制备 方法 | ||
1.一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)将任意形状的刚性或柔性衬底清洗、吹干,备用;
2)将硝酸铅、硫脲、氨水和去离子水加入烧杯中,搅拌溶解,获得硫化铅反应溶液;
3)将步骤1)处理后的衬底放入步骤2)制备的硫化铅反应溶液中,然后放入水浴锅中反应,即在衬底表面生成PbS薄膜;反应结束后取出、用去离子水冲洗表面、吹干,备用;
4)将PbS薄膜与CH3NH3I粉末作为反应物,通过化学气相沉积法获得钙钛矿光吸收层CH3NH3PbI3薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤1)的方法是:将任意形状的刚性或柔性衬底依次用肥皂水、丙酮、乙醇超声清洗,然后用氮风吹干,备用。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤2)的方法是:将20mL浓度为0.015M的Pb(NO3)2溶液、10mL浓度为1.5M的硫脲溶液、26mL质量浓度为25~28%的氨水及144mL去离子水加入烧杯中,然后在室温下以500~1500rpm的速度搅拌5分钟,即获得硫化铅反应溶液。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤3)中水浴锅的温度为60~90℃,反应时间为5~40分钟。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤4)的方法是:
将PbS薄膜与CH3NH3I粉末作为反应物,放置于充满气氛保护的加热台上,加热到100~250℃,反应5~120分钟,即获得钙钛矿光吸收层CH3NH3PbI3薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述气氛保护为惰性气体保护或真空环境。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的