[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法

权利要求书

1.一种改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，

提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部；

形成覆盖所述衬底表面以及鳍部侧壁表面的隔离层，所述隔离层顶部低于鳍部顶部，所述隔离层暴露出第一厚度的鳍部；

对所述高于隔离层的鳍部进行退火处理，所述退火处理适于提高所述鳍部顶部拐角的圆滑度，其中，所述退火处理在含有H₂的氛围下进行；

在进行所述退火处理之后，去除第二厚度的隔离层形成隔离结构；

在形成所述隔离结构之后，对高于所述隔离结构的鳍部进行氧化处理，在鳍部的顶部和侧壁表面形成氧化层。

2.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为300℃～500℃。

3.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，在进行退火处理的工艺中，H₂流量为1sccm～1000sccm。

4.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述第一厚度为0.5nm～5nm。

5.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述第二厚度为5nm～50nm。

6.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，在形成所述隔离层之前，所述鳍部顶部表面形成有硬掩膜层。

7.如权利要求6所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，形成所述隔离层的工艺步骤包括：形成覆盖所述衬底表面、鳍部侧壁表面、以及硬掩膜层表面的隔离膜，所述隔离膜顶部高于硬掩膜层顶部；去除高于所述硬掩膜层顶部的隔离膜；接着，去除所述硬掩膜层；去除部分厚度的隔离膜形成所述隔离层。

8.如权利要求7所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述隔离膜的形成工艺包括：采用流动性化学气相沉积工艺形成前驱隔离膜；对所述前驱隔离膜进行退火固化处理，将前驱隔离膜转化为隔离膜。

9.如权利要求7所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，在形成所述隔离膜之前，在所述衬底表面以及鳍部侧壁表面形成线性氧化层；在去除部分厚度的隔离膜的同时，还去除高于隔离层的线性氧化层。

10.如权利要求9所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述线性氧化层的材料为氧化硅。

11.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述氧化处理为干氧氧化、水汽氧化或湿氧氧化。

12.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，采用原位水汽生成氧化工艺进行所述氧化处理，工艺参数包括：反应气体包括O₂、H₂和H₂O，其中，O₂流量为0.1slm至20slm，H₂流量为0.1slm至20slm，H₂O流量为0.1slm至50slm，反应腔室温度为650度至1000度，反应腔室压强为0.1托至760托，反应时长为5秒至10分。

13.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。

14.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，还包括步骤：在所述氧化层表面形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。

15.如权利要求1所述改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，所述衬底包括核心器件区和输入输出器件区，其中，核心器件区衬底表面形成有鳍部，输入输出器件区衬底表面形成有鳍部；在形成所述氧化层之后，还包括步骤：去除所述核心器件区的氧化层；在所述核心器件区的鳍部表面形成伪氧化层，所述伪氧化层的厚度小于氧化层的厚度；在所述氧化层表面以及伪氧化层表面形成伪栅层；在所述伪栅层两侧的鳍部内形成源漏极；在所述源漏极表面形成层间介质层，所述层间介质层还覆盖伪栅层侧壁表面；刻蚀去除所述伪栅层；刻蚀去除所述伪氧化层，暴露出核心器件区鳍部表面；在所述核心器件区鳍部表面形成界面层，所述界面层厚度小于氧化层厚度。