[发明专利]基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器有效
| 申请号： | 201610208217.0 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105702773B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;郭进;王国胜;吴浩然;王唐林;宋曼;易媛媛;谢峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 | 代理人： | 刘葛,郭鸿雁 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 npss 窄带 gan msm 结构 紫外 探测器 | ||
1.一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器，自下而上依次包括：衬底、缓冲层、N型吸收层和肖特基电极；其中于肖特基电极的中间开有缺口，于所述肖特基电极的缺口处、N型吸收层的上方还依次包括N型势垒层和N型短波过滤层。
2.根据权利要求1所述的一种紫外探测器，其特征在于：所述衬底为纳米图形化蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的一种紫外探测器，其特征在于：所述缓冲层厚度为100-300nm，所述N型吸收层厚度为300-500nm，所述N型势垒层厚度为100-200nm，所述N型短波过滤层厚度为300-500nm。
4.根据权利要求3所述的一种紫外探测器，其特征在于：所述缓冲层厚度为200nm，所述N型吸收层厚度为400nm，所述N型势垒层厚度为150nm；所述N型短波过滤层厚度为400nm。
5.根据权利要求1所述的一种紫外探测器，其特征在于：所述缓冲层为AlN材料；所述N型吸收层为非故意掺杂的弱N型AlxGa1-xN材料，其中0≤x≤1，掺杂浓度为1×1016cm-3；所述N型势垒层为故意掺杂的N型AlyGa1-yN材料，其中0≤y≤1，掺杂浓度为1×1018cm-3；所述N型短波过滤层为非故意掺杂的弱N型AlzGa1-zN材料，其中0≤z≤1，掺杂浓度为1×1016cm-3。
6.根据权利要求5所述的一种紫外探测器，其特征在于：不同外延层材料的Al组分满足y>z>x。
7.根据权利要求6所述的一种紫外探测器，其特征在于：y＝0.3，z＝0.1，x＝0.0。
8.根据权利要求1所述的一种紫外探测器，其特征在于：所述肖特基电极为叉指结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
