[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610209522.1 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107275399B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李凯霖;李志成;黄昱豪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，包含：
提供一基底；
形成一鳍状结构于该基底上；
形成一栅极结构于该鳍状结构上；
形成一衬垫层于该栅极结构上；
进行一第一蚀刻制作工艺去除部分衬垫层以形成一第一间隙壁；
进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该第一间隙壁以形成一第二间隙壁，其中依据一俯视角该第二间隙壁包含一阶梯部；
进行一第三蚀刻制作工艺去除部分该第二间隙壁以形成一第三间隙壁，其中依据一俯视角该第三间隙壁包含一倒V型轮廓；以及
形成一外延层于该栅极结构两侧，其中依据一俯视角该外延层包含一V型轮廓，其中该第三间隙壁的该倒V型轮廓接触该外延层的该V型轮廓。
2.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺包含去除该第一间隙壁的部分底部。
3.如权利要求1所述的方法，其中该第一蚀刻制作工艺包含一干蚀刻制作工艺。
4.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺包含一湿蚀刻制作工艺。
5.如权利要求1所述的方法，另包含进行一第四蚀刻制作工艺去除部分该鳍状结构以形成凹槽。
6.一种如权利要求1所述的方法制得的半导体元件，包含：
基底；
鳍状结构，设于该基底上；
栅极结构，设于该鳍状结构上；以及
外延层，设于该栅极结构两侧，其中依据一俯视角该外延层包含一V型轮廓。
7.如权利要求6所述的半导体元件，另包含一间隙壁，设于该栅极结构旁，其中依据一俯视角该间隙壁包含一倒V型轮廓。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该间隙壁的该倒V型轮廓接触该外延层的该V型轮廓。
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