[发明专利]判断晶片是否正常升起的方法及其装置

权利要求书

1.一种判断晶片是否正常升起的方法，其中，所述晶片底部为导体或半导体，其特征在于，所述方法包括：

当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值；

判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值；

若存在，则确认所述晶片未正常升起；

所述判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值包括：

判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值。

2.根据权利要求1所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所述判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值之后，所述方法还包括：

若全部所述电阻值均为有限值，则确认所述晶片正常升起。

3.根据权利要求1所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所述测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值具体为：

使待测的多个顶针中任意两个顶针中第一顶针接地，使待测的多个顶针中任意两个顶针中第二顶针连接电源输入端；

获取所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值，若所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值为零，则确认所述第一顶针与所述第二顶针之间的电阻值为无穷大。

4.根据权利要求1所述的判断晶片是否正常升起的方法，其特征在于，所述若存在，则确认所述晶片未正常升起之后，还包括：

当确认所述晶片未正常升起时，输出告警信息和停止取片指令。

5.一种判断晶片是否正常升起的装置，所述晶片底部为导体或半导体，其特征在于，所述判断装置包括：

测量模块，用于当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值；

判断模块，用于判断全部所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值；

确认模块，用于若判断模块判断出全部所述电阻值中存在符合预设异常条件的电阻值，则确认所述晶片未正常升起；

所述判断模块，具体用于判断全部所述电阻值中是否存在无穷大的电阻值。

6.根据权利要求5所述的判断晶片是否正常升起的装置，其特征在于，

所述确认模块，还用于若判断模块判断出全部所述电阻值均为有限值，则确认所述晶片正常升起。

7.根据权利要求6所述的判断晶片是否正常升起的装置，其特征在于，所述测量模块包括：

回路接入单元，用于在测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值时，使待测的多个顶针中任意两个顶针中第一顶针接地，使待测的多个顶针中任意两个顶针中第二顶针连接电源输入端；

电流获取单元，用于在测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值时，获取所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值；

所述确认模块具体用于，在测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值时，若所述第一顶针与所述第二顶针之间流过的电流值为零，则确认所述第一顶针与所述第二顶针之间的电阻值为无穷大。

8.根据权利要求7所述的判断晶片是否正常升起的装置，其特征在于，还包括：

告警模块，用于当确认所述晶片未正常升起时，输出告警信息和停止取片指令。