[发明专利]基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器

权利要求书

1.一种基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器，包括半导体激光器(1)、温度控制器(8)和封装件(9)，其特征在于，在所述的封装件(9)内设置所述的温度控制器(8)，在该温度控制器(8)上依次设置半导体激光器(1)、光纤起偏器(2)、第一λ/4波片(3)、相移光纤光栅(4)、第二λ/4波片(5)和保偏布拉格光纤光栅(6)和输出保偏光纤(7)，所述的相移光纤光栅(4)刻制在一段单模光纤上，所述的保偏布拉格光纤光栅(6)刻制在另一段保偏光纤(7)的一端上。

2.根据权利要求1所述的基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器，其特征在于所述的半导体激光器为DFB半导体激光器或DBR半导体激光器，所述的半导体激光器的左端面镀高反膜。

3.根据权利要求1所述的基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器，其特征在于所述的第一λ/4波片(3)和第二λ/4波片(5)是由保偏光纤制成。

4.根据权利要求1所述的基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器，其特征在于所述的光纤起偏器(2)的透光方向与所述的第一λ/4波片(3)的慢轴方向的夹角为45°或135°。

5.根据权利要求1所述的基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器，其特征在于所述的保偏布拉格光纤光栅(6)的慢轴方向与所述的第二λ/4波片(5)的慢轴方向的夹角为45°或135°。

6.根据权利要求1至5任一项所述的基于相移光纤光栅的外腔反馈半导体激光器，其特征在于所述的相移光纤光栅(4)可由光纤光栅法布里珀罗腔代替。