[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610210757.2 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107275400B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
形成基底，所述基底包括：衬底和位于衬底上的鳍部；
在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖鳍部侧壁，且暴露出鳍部顶部表面；
形成隔离层后，对所述鳍部的顶部进行第一离子注入，所述注入离子为第一离子；
进行第一离子注入之后，刻蚀所述隔离层暴露出鳍部部分侧壁，形成隔离结构；
进行第二离子注入，所述注入离子为第二离子，所述第二离子和第一离子为反型离子，第二离子的注入剂量大于第一离子的注入剂量；
形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入角度为0度～5度。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入剂量为3.0E12 atoms/cm2～5.0E13 atoms/cm2，所述第一离子注入的注入能量为0.5keV～3kev。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子的注入角度为10度～20度。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子的注入剂量为5.0E12 atoms/cm2～8.0E13 atoms/cm2，所述第二离子注入的离子注入能量为3keV～10kev。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述鳍部顶部表面的掩膜层；
在所述衬底上形成隔离层的步骤包括：
形成覆盖所述衬底表面和掩膜层表面的初始隔离层；
去除掩膜层表面的初始隔离层，暴露出掩膜层表面；
进行第一离子注入之前，所述形成方法还包括：去除所述掩膜层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始隔离层的工艺为流体化学气相沉积工艺。
8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除掩膜层表面的初始隔离层的工艺包括化学机械研磨。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构之前，所述形成方法还包括：形成覆盖所述鳍部表面的氧化层。
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