[发明专利]用于金属布线的自对准双重图案化工艺

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：

在介电层上方形成硬掩膜；

形成包括设于该硬掩膜上的多个平行线性元件的图案化模板，其中，该硬掩膜暴露于相邻平行线性元件之间；

形成覆盖该相邻平行线性元件及该相邻平行线性元件之间的间隙的部分的块体掩膜；

通过该块体掩膜以及定义多条平行线的该图案化模板蚀刻该硬掩膜的暴露部分；

移除该块体掩膜以及该图案化模板；

在该硬掩膜上方形成截切掩膜，以定义垂直于并连接两条相邻平行线的开口，其中，形成该截切掩膜还定义垂直于该两条相邻平行线并位于该两条相邻平行线的端部的功率线；

通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜并移除该截切掩膜；

通过该硬掩膜在该介电层中蚀刻凹槽；

移除该硬掩膜；以及

使用导电材料填充该凹槽。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成该图案化模板包括：

在该硬掩膜上方形成芯轴，在各芯轴的相对侧壁上具有间隙壁，以及移除该芯轴。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该多个平行线性元件均匀地隔开。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成该块体掩膜包括覆盖与该相邻平行线的其中一条对应的间隙的第一部分、以及与该相邻平行线的第二条对应的间隙的第二部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在该介电层中蚀刻该凹槽对应该相邻平行线以及该开口。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该块体掩膜包括第一光阻掩膜，且该截切掩膜包括第二光阻掩膜。

7.如权利要求1所述的方法，其中，通过该块体掩膜蚀刻该硬掩膜发生于所述通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜之前。

8.如权利要求1所述的方法，其中，填充该凹槽包括使用铜或钨填充该凹槽。

9.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：

在介电层上方形成硬掩膜；

在该硬掩膜上方形成芯轴，在各芯轴的相对侧壁上具有间隙壁，该间隙壁在其之间定义多条平行线；

移除该芯轴；

形成覆盖该多条平行线的部分的块体掩膜；

通过该块体掩膜及该间隙壁蚀刻该硬掩膜的暴露部分；

移除该块体掩膜以及该间隙壁；

在该硬掩膜上方形成截切掩膜，以定义垂直于并连接该多条平行线的第一及第二线的开口，其中，形成该截切掩膜还定义垂直于该平行线并位于该平行线的端部的功率线；

通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜；

移除该截切掩膜；

在该介电层中蚀刻凹槽，该凹槽对应该多条平行线以及该开口；

移除该硬掩膜；以及

使用导电材料填充该凹槽。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该块体掩膜包括第一光阻掩膜，且该截切掩膜包括第二光阻掩膜。

11.如权利要求9所述的方法，其中，通过该块体掩膜蚀刻该硬掩膜发生于所述通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜之前。

12.如权利要求9所述的方法，其中，形成该块体掩膜包括覆盖与相邻平行线的其中一条对应的间隙的第一部分、以及与相邻平行线的第二条对应的间隙的第二部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该截切掩膜形成于该第一与第二部分之间。

14.如权利要求9所述的方法，其中，该芯轴均匀隔开。

15.如权利要求9所述的方法，其中，该芯轴包括一维图案。

16.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：

在介电层上方形成光阻硬掩膜；

在该硬掩膜上方形成芯轴，在各芯轴的相对侧壁上具有间隙壁，该间隙壁在其之间定义多条平行线；

移除该芯轴；

形成覆盖该多条平行线的部分的光阻块体掩膜；

通过该块体掩膜及该间隙壁蚀刻该硬掩膜的暴露部分；

移除该光阻块体掩膜以及该间隙壁；

在该光阻硬掩膜上方形成光阻截切掩膜，以定义：

垂直于并连接该多条平行线的第一及第二线的开口，以及

垂直于该平行线并位于该平行线的端部的功率线；

通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜；

移除该截切掩膜；

对应该多条平行线、该开口以及功率线在该介电层中蚀刻凹槽；

移除该硬掩膜；以及

使用导电材料填充该凹槽。